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本发明公开了一种高通、陡截止的宽入射角频率选择结构。结构包括相互垂直穿插布置的第一和第二选择组件，第一和第二选择组件均包括带有切槽的介质基板和介质基板两个表面上的回形导电几何结构和C形导电几何结构，导电几何结构通过导电金属过孔互相连接。本发...
该专利属于浙江大学金华研究院所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学金华研究院授权不得商用。

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