【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别是涉及一种改良的电阻式存储器元件及其制作方法。
技术介绍
1、半导体存储器元件被广泛应用于计算机和电子工业中用来保留数字信息或数据。半导体存储器元件可被区分为易失性和非易失性存储器元件。易失性存储器元件是一种计算机存储器，当操作电源中断时，它会丢失其存储的数据。在非易失性存储器元件中，存储的数据不会因电源中断而丢失。
2、电阻式随机存取存储器(rram)是一种非易失性存储技术，具有工作电压低、功耗低、写入速度快等特点，被认为是一种可以应用于许多电子设备的存储结构。电阻式存储器元件可在低电阻态和高电阻态之间切换操作，而如何提高电阻式存储器元件在低电阻态下的读取电流是目前该
的瓶颈之一。
技术实现思路
1、本专利技术的主要目的在于提供一种改良的电阻式存储器元件及其制作方法，以解决现有技术的不足或缺点。
2、本专利技术一方面提供一种电阻式存储器元件，包含：一基底；一介电层，设置于该基底上；一导电通孔，设置于该介电层中；以及一存储堆叠结构，设...
【技术保护点】
1.一种电阻式存储器元件，包含：
2.如权利要求1所述的电阻式存储器元件，其中，还包含：
3.如权利要求2所述的电阻式存储器元件，其中，该介质壁贯穿该顶电极层的整个厚度。
4.如权利要求2所述的电阻式存储器元件，其中，该介质壁直接接触该电阻切换层。
5.如权利要求2所述的电阻式存储器元件，其中，该介质壁包含氮化硅。
6.如权利要求2所述的电阻式存储器元件，其中，该介质壁的厚度大于或等于10埃。
7.如权利要求2所述的电阻式存储器元件，其中，还包含：
8.如权利要求7所述的电阻式存储器元...
【技术特征摘要】
1.一种电阻式存储器元件，包含：
2.如权利要求1所述的电阻式存储器元件，其中，还包含：
3.如权利要求2所述的电阻式存储器元件，其中，该介质壁贯穿该顶电极层的整个厚度。
4.如权利要求2所述的电阻式存储器元件，其中，该介质壁直接接触该电阻切换层。
5.如权利要求2所述的电阻式存储器元件，其中，该介质壁包含氮化硅。
6.如权利要求2所述的电阻式存储器元件，其中，该介质壁的厚度大于或等于10埃。
7.如权利要求2所述的电阻式存储器元件，其中，还包含：
8.如权利要求7所述的电阻式存储器元件，其中，该介质帽包含氧化硅。
9.如权利要求1所述的电阻式存储器元件，还包含：
10.如权利要求1所述的电阻式存储器元件，其中，该顶电极层包含氮化钛层和铱层，又其中，该电阻切换层包含五氧化二钽层和氧化钽层...
【专利技术属性】
技术研发人员：王温壬，叶宇寰，王泉富，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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