【技术实现步骤摘要】
本公开中呈现的实施例涉及半导体器件领域。更具体地说，本文公开的实施例涉及用于制造半导体器件(诸如功率开关器件)的玻璃沉积的技术。
技术介绍
1、半导体器件被广泛应用于电功率的控制，范围从调光器电机速度控制到高电压直流功率传输。例如，晶闸管被用于交流电(alternating current，ac)功率控制应用。晶闸管可以作为电功率开关操作，因为晶闸管的特征在于能够从非导电状态快速切换到导电状态。在操作中，晶闸管导通，从高阻抗状态切换到低阻抗状态。这是通过在栅极和阴极之间施加电压并从栅极到阴极运行电流来完成的。
技术实现思路
1、本公开中所呈现的一个实施例提供了在晶圆中制造半导体器件期间用电玻璃电镀晶圆的方法。该方法包括通过掺杂晶圆的隔离结构的表面区域在晶圆中形成导电网络。晶圆包括衬底层，并用掺杂剂执行掺杂。隔离结构在晶圆中将半导体器件彼此横向地隔离。该方法还包括，在晶圆中形成导电网络之后，对于晶圆的一个或多个电镀区域中的每一个，在相应的电镀区域之上形成相应镀层的玻璃沉积。相应镀层包括电玻璃
2、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种在晶圆中制造半导体器件期间用电玻璃电镀晶圆的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂在极性方面为正型(P型)或负型(N型)。
3.根据权利要求2所述的方法，其中：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂被横向地扩散遍及所述表面区域，其中，按照所述晶圆的厚度，所述掺杂剂部分地和垂直地被扩散穿过所述隔离结构，其中，所述表面区域构成所述隔离结构的整个表面，并且其中，所述导电网络包括所述表面区域。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件中的至少一个包括晶闸管，并且其中，所述
【技术特征摘要】
1.一种在晶圆中制造半导体器件期间用电玻璃电镀晶圆的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂在极性方面为正型(p型)或负型(n型)。
3.根据权利要求2所述的方法，其中：
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂剂被横向地扩散遍及所述表面区域，其中，按照所述晶圆的厚度，所述掺杂剂部分地和垂直地被扩散穿过所述隔离结构，其中，所述表面区域构成所述隔离结构的整个表面，并且其中，所述导电网络包括所述表面区域。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件中的至少一个包括晶闸管，并且其中，所述衬底层包括硅。
6.根据权利要求1所述的方法，所述晶圆还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中：
8.根据权利要求6所述的方法，其中，在形成所述导电网络时，所述下基底层、所述衬底层、所述上基底层、所述顶层和所述隔离结构的垂直剩余部分中的每一个按照所述晶圆的厚度都不被掺杂所述掺杂剂。
9.根据权利要求6所述的方法，还包括在形成所述导电网络之前：
10.根据权利要求9所述的方...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾兴冲，周继峰，何磊，
申请(专利权)人：力特半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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