一种分步反应制备碳掺杂ＭｇＢ２超导体的方法技术

本发明专利技术公开了一种分步反应制备碳掺杂ＭｇＢ２超导体的方法，该方法过程为：首先将镁粉、硼粉和无定形碳粉或纳米碳粉按照Ｍｇ∶Ｂ∶Ｃ＝１∶７－ｘ∶ｘ原子数比充分混合后进行热处理，然后将制得的片或块破碎球磨，酸洗烘干，再按照Ｍｇ∶Ｂ∶Ｃ＝７∶１４－２ｘ∶２ｘ的原子数比补足镁粉，进行第二次热处理，最终获得碳掺杂ＭｇＢ２超导体，其中０．１５≤ｘ≤０．７。采用该方法制备的碳掺杂ＭｇＢ２超导体不但表现出高的致密度，而且掺杂元素碳分布均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种涂层导体前驱膜的制备方法，尤其是涉及一种分步反应制备碳掺 杂MgB2超导体的方法。
技术介绍
2001年MgB2超导电性的发现，轰动了整个凝聚态物理界，它创造了金属间化合物 超导材料的新纪录，超导转变温度高达39K。 MgB2超导体较高的转变温度和上临界场、较大 的相干长度、晶界不存在弱连接、结构简单成本低廉等优点，引起了世界各国的极大关注， 但是MgB2超导体临界电流密度随着磁场的增加而急剧减小，表现出较低的不可逆场，这些 问题都严重地影响到它在工程方面的应用。研究结果表明，适量的C掺杂可以有效提高材 料在高场下的临界电流密度。 目前，C掺杂MgB2超导体的制备通常采用将Mg， B和C粉按照一定的原子数比直 接混合研磨后进行烧结制备。该方法工艺简单，并且生产成本低。同时，很多研究小组以不 同的碳化物为掺杂源制备了 C掺杂MgB2超导体，如B4C、 BwC等，制得样品的临界电流密度 (Jc)较直接混合法有了一定程度的提高，但是这些化合物由于受到价格以及合成条件的限 制，很难大规模使用。直接混合烧结法虽然工艺简单，但是由于在较高的热处理温度下(一 般高于90(TC 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分步反应制备碳掺杂ＭｇＢ↓［２］超导体的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：　　（１）将干燥的镁粉、硼粉和无定形碳粉或纳米碳粉按照１∶７－ｘ∶ｘ的原子数比充分混合研磨１－２小时，然后将粉末压制成片或块，其中０．１５≤ｘ≤０．７０；　　（２）将步骤（１）中压制成的片或块置于真空退火炉中烧结，对真空退火炉抽真空，待真空度达到５×１０↑［－３］Ｐａ后，充入氩气或者氩气和氢气的混合气，然后以３０－６０℃／分钟的升温速率，升温至８５０－１１００℃恒温０．５－８小时，最后以２５－５０℃／分钟的冷却速率冷至室温；　　（３）将步骤（２）中烧结后的片或块进行破碎，以乙醇为溶剂湿法球磨，然后用酸洗液对球磨后的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国庆，闫果，王庆阳，焦高峰，孙昱艳，单迪，李成山，
申请(专利权)人：西北有色金属研究院，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]