用于3He极低温、脉冲强磁场NMR测量的样品杆和测量方法技术

本申请属于固态核磁共振领域，具体公开了用于<supgt;3</supgt;He极低温、脉冲强磁场NMR测量的样品杆和测量方法。通过本申请，通过<supgt;3</supgt;He制冷插件为插入部分尾部创造1K以下的极低温环境，通过位置调节构件，调节样品在磁场中的位置，使其处在高均匀的磁场范围内；采用双通道测量电路，其中一通道测量样品的NMR信号，另一通道测量标准样品的NMR信号从而标定瞬时磁场的精确强度，结合双通道的测量可以得到样品的化学(奈特)位移，降低了核磁共振实验的误差，从而实现了极低温、脉冲强磁场下的核磁共振测量。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于固态核磁共振领域，更具体地，涉及用于3he极低温、脉冲强磁场nmr测量的样品杆和测量方法。

技术介绍

1、在实际的凝聚态物理相关的核磁共振测量(nmr)中，往往需要极低温(1k以下)、高磁场(45t以上)等极端条件。测量所能达到的磁场越高，温度越低，便有可能解决更重要的科学问题。同时，核磁共振测量的分辨率与磁场强度正相关，所施加的磁场越大，测量分辨率越高，所能测量的频率范围也越大。而常规核磁共振测量的稳态超导磁体所能提供的磁场相对较小。使用脉冲磁体可以获得更高的磁场。由于脉冲强磁场相对常规的稳态磁场有其特殊性，相应地，nmr测量的样品杆的构造也会有所不同。首先，nmr测量对磁场的空间均匀性有着较高的要求，而脉冲磁场的均匀度通常较低，磁场往往仅在2mm-5mm范围内具有较高的均匀度。其次，脉冲磁场是瞬时磁场，磁场大小难以直接、精确地测量，这为化学(奈特)位移的测量带来很大的不确定度。

2、目前应用于凝聚态领域极端环境下的nmr测量装置相对较少。在低温核磁共振方面，专利us7288939b1设计了一种可以在低温下(25k)使用的nmr探头本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于3He极低温、脉冲强磁场NMR测量的双通道样品杆，其特征在于，包括：样品杆主体和3He制冷插件；

2.如权利要求1所述的双通道样品杆，其特征在于，所述位置调节构件包括：连接杆(4)、调高螺丝(8)、调高螺母(7)、卡扣(5)和盖板(6)；

3.如权利要求1所述的双通道样品杆，其特征在于，所述3He制冷插件包括：上壳层、下壳层、磁场采集线圈、第二KF四通和二孔雷莫接头；

4.如权利要求1所述的双通道样品杆，其特征在于，所述双通道NMR信号传输电路包括：两个相互独立的传输回路，每个回路包括相连的半刚同轴线和信号采集接头；p>

5.如权利...

【技术特征摘要】

1.一种用于3he极低温、脉冲强磁场nmr测量的双通道样品杆，其特征在于，包括：样品杆主体和3he制冷插件；

2.如权利要求1所述的双通道样品杆，其特征在于，所述位置调节构件包括：连接杆(4)、调高螺丝(8)、调高螺母(7)、卡扣(5)和盖板(6)；

3.如权利要求1所述的双通道样品杆，其特征在于，所述3he制冷插件包括：上壳层、下壳层、磁场采集线圈、第二kf四通和二孔雷莫接头；

4.如权利要求1所述的双通道样品杆，其特征在于，所述双通道nmr信号传输电路包括：两个相互独立的传输回路，每个回路包括相连的半刚同轴线和信号采集接头；

5.如权利要求1所述的双通道样品杆，其特征在于，所述温控构件包括：加热器、温度计、控温引线和六孔雷莫插头；

6.如权利要求1所述的双通道样品杆，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗永康，王卓，罗康健，刘梦宇，魏文琦，韩小涛，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：