一种制备ＣｕＣｒＷ触头材料的方法技术

本发明专利技术涉及一种ＣｕＣｒＷ触头材料的制备方法，将Ｃｒ块与Ｍｏ块在真空炉内进行熔炼；经过低温制粉，制出ＣｒＷ合金粉，再经压制成型、烧结制成ＣｒＷ骨架，随后渗Ｃｕ，制得ＣｕＣｒＷ复合材料。本发明专利技术的制备方法，工艺简单、成本低，制得的ＣｕＣｒＷ复合材料与直接混粉制得的ＣｕＣｒＷ复合材料相比，具有硬度、密度、耐电压强度等综合性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于触头材料的制作方法，具体来说是CuCrW触头材料的制备方法。
技术介绍
自20世纪60年代初期真空开关开始应用到电力领域以来，至今已有40多年的历 史，如今，尤其在中等电压领域，单真空开关产品占有率已超过85% 。真空断路器是真空开 关的关键部件，为了满足真空断路器向小型化大容量的发展，要求真空断路器的触头材料， 有高的抗熔焊性和耐电压强度、低的截流值和热点离子发射性能，以免影响介质强度的恢 复能力和避免造成更高的过电压。CuCrW材料具有这方面的优势。 CuCrW合金触头材料的制备有固相烧结和熔渗两种方法。固相烧结法，存在密度 低、孔隙多、硬度很难达到要求的缺点；而熔渗法，采用W粉与Cr粉进行混料，由于很难将复 合粉末混合均匀，最终产品有独立的Cr相与W相存在，这就降低了材料的耐电压强度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服传统制备CuCrW合金触头材料方法的缺点，提供一种制 备CuCrW触头材料的新方法。 本专利技术是这样实现的备齐Cr粉、W粉、Cu粉，其中W粉为6 8 y m， Cu粉和Cr 粉的粒度为45 llOiim，其间的重量配比为，Cr粉W粉二3 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＣｕＣｒＷ触头材料的制备方法，其特征在于，它包括以下步骤：ａ．备齐Ｃｒ粉、Ｗ粉、Ｃｕ粉，其中Ｗ粉为６～８μｍ，Ｃｕ粉和Ｃｒ粉的粒度为４５～１１０μｍ，其间的重量配比为，Ｃｒ粉∶Ｗ粉＝３∶２；诱导Ｃｕ粉的配比为Ｃｒ粉、Ｗ粉总重量的１０％～３３％；ｂ．按所需材料的配比将Ｗ粉与Ｃｒ粉在混料机中混料，混合均匀；ｃ．将上述的混合粉末压制成坯料；ｄ．将上述压制好的坯料，在真空度大于１０－２条件下，升温至１１００～１３００℃，烧结９０～１２０ｍｉｎ，制成ＣｒＷ复合材料；ｅ．将上述ＣｒＷ合金在－１５０℃以下的低温液体保护下，加工成ＣｒＷ合金粉；ｆ．．合金粉末经压坯，１２００～１４００℃烧结，保温时间为２～...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王文斌，
申请(专利权)人：王文斌，
类型：发明
国别省市：87[中国|西安]