作为半导体本体的侧向边缘部分的应力释放结构制造技术

一种电子部件(100)，包括：半导体本体(102)、在所述半导体本体(102)的中央部分中的有源区域(104)、以及用于释放应力且被形成为所述半导体本体(102)的侧向边缘部分(112)的应力释放结构(106)，所述侧向边缘部分(112)具有不超过所述半导体本体(102)的最大厚度(D)的40％的最小厚度(d)。

【技术实现步骤摘要】

各种实施例总体上涉及一种电子部件、一种封装体以及一种制造电子部件的方法。

技术介绍

1、常规的封装体可以包括例如安装在诸如引线框架的芯片载体上的电子部件，可以通过从芯片延伸到芯片载体或引线的连接导线电连接，并且可以使用模制化合物作为包封材料来模制。

技术实现思路

1、可能需要一种具有高可靠性和合理的制造工作量的电子部件。

2、根据一个示例性实施例，提供了一种电子部件，所述电子部件包括半导体本体、在所述半导体本体的中央部分中的有源区域、以及用于释放应力并被形成为所述半导体本体的侧向边缘部分的应力释放结构，所述侧向边缘部分具有不超过所述半导体本体的最大厚度的40％的最小厚度。

3、根据另一个示例性实施例，提供了一种封装体，所述封装体包括载体和具有上面提到的特征并安装在所述载体上的电子部件，其中，所述电子部件的应力释放结构在所述侧向边缘部分与所述载体之间的界面处释放应力。

4、根据又一示例性实施例，提供了一种制造电子部件的方法，其中，所述方法包括：在半导体本体的中央部分中形成有源本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电子部件(100)，包括：

2.根据权利要求1所述的电子部件(100)，其中，所述应力释放结构(106)在所述半导体本体(102)的外部边缘(108)与所述半导体本体(102)达到其最大厚度(D)的位置(110)之间的侧向延伸尺寸(L)是所述半导体本体(102)的最大厚度(D)的至少10％。

3.根据权利要求2所述的电子部件(100)，其中，应力释放结构(106)的所述侧向延伸尺寸(L)是所述半导体本体(102)的最大厚度(D)的至少20％。

4.根据权利要求2或3所述的电子部件(100)，其中，应力释放结构(106)的所述侧向延伸尺寸(L)不...

【技术特征摘要】

1.一种电子部件(100)，包括：

2.根据权利要求1所述的电子部件(100)，其中，所述应力释放结构(106)在所述半导体本体(102)的外部边缘(108)与所述半导体本体(102)达到其最大厚度(d)的位置(110)之间的侧向延伸尺寸(l)是所述半导体本体(102)的最大厚度(d)的至少10％。

3.根据权利要求2所述的电子部件(100)，其中，应力释放结构(106)的所述侧向延伸尺寸(l)是所述半导体本体(102)的最大厚度(d)的至少20％。

4.根据权利要求2或3所述的电子部件(100)，其中，应力释放结构(106)的所述侧向延伸尺寸(l)不大于150μm、特别是不大于100μm。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子部件(100)，其中，所述侧向边缘部分(112)具有不超过所述半导体本体(102)的最大厚度(d)的20％的最小厚度(d)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子部件(100)，其中，所述侧向边缘部分(112)在所述半导体本体(102)的外部边缘(108)处具有为零的最小厚度(d)。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电子部件(100)，其中，所述侧向边缘部分(112)的至少一部分具有凹形形状或具有直形形状。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的电子部件(100)，其中，所述最大厚度(d)在20μm至220μm的范围内、特别是在30μm至120μm的范围内。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电子部件(100)，其中，在所述侧向边缘部分(112)处的最小厚度(d)不大于5...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·波尔斯特，A·海因里希，M·R·尼斯纳，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：