微型发光二极管器件及其制作方法、以及显示装置制造方法及图纸

本申请涉及一种微型发光二极管器件及其制作方法、以及显示装置，包括：提供包括多个驱动芯片的驱动晶圆；提供多个微型发光二极管芯片；将多个微型发光二极管芯片中每个微型发光二极管芯片对应键合至驱动晶圆中的驱动芯片，得到包括多个发光芯片的键合结构，每个发光芯片包括对应键合的一个微型发光二极管芯片和一个驱动芯片；对键合结构进行切割，以获得多个微型发光二极管器件，每个微型发光二极管器件包括至少一个发光芯片，从而实现了将微型发光二极管芯片直接键合到驱动晶圆上，提高驱动晶圆的利用率。

【技术实现步骤摘要】

【】本申请涉及半导体发光，具体涉及一种微型发光二极管器件及其制作方法、以及显示装置。

技术介绍

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技术介绍

1、micro-led(micro-light emitting diode，微型发光二极管)显示技术是将传统的led(light emitting diode，发光二极管)结构进行微缩化和阵列化，并采用cmos(complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体)或tft(thin filmtransistor，薄膜晶体管)制作驱动电路，来实现对每一个像素点的定址控制和单独驱动的显示技术。

2、其中，键合作为micro-led显示技术的重要技术环节，对产品的性能起着重要作用。晶圆键合(wafer bonding)方法是目前采用较多的一种键合方法。然而，现有的晶圆键合方法存在驱动晶圆中驱动芯片使用不充分的问题。

技术实现思路

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技术实现思路

1、本申请实施例提供一种微型发光二极管器件及其制作方法、以及显示装本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种微型发光二极管器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，每个所述微型发光二极管芯片具有第一键合面以及暴露于所述第一键合面的第一介质层和第一导电层，每个所述驱动芯片具有第二键合面以及暴露于所述第二键合面的第二介质层和第二导电层；

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在每个所述发光芯片中，所述微型发光二极管芯片的所述第一键合面为所述微型发光二极管芯片朝向所述驱动芯片一侧的全部表面，所述驱动芯片的所述第二键合面为所述驱动芯片朝向所述微型发光二极管芯片一侧的全部表面，且所述微型发光二极管芯片的所述第一键合面和所述驱...

【技术特征摘要】

1.一种微型发光二极管器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，每个所述微型发光二极管芯片具有第一键合面以及暴露于所述第一键合面的第一介质层和第一导电层，每个所述驱动芯片具有第二键合面以及暴露于所述第二键合面的第二介质层和第二导电层；

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在每个所述发光芯片中，所述微型发光二极管芯片的所述第一键合面为所述微型发光二极管芯片朝向所述驱动芯片一侧的全部表面，所述驱动芯片的所述第二键合面为所述驱动芯片朝向所述微型发光二极管芯片一侧的全部表面，且所述微型发光二极管芯片的所述第一键合面和所述驱动芯片的所述第二键合面是无间隙连接的。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述提供多个微型发光二极管芯片，包括：

5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述提供包括多个驱动芯片的驱动晶圆，包括：

6.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述将所述多个微型发光二极管芯片中每个所述微型发光二极管芯片暴露于所述第一键合面的所述第一介质层与所述驱动晶圆中对应的所述驱动芯片暴露于所述第二键合面的所述第二介质层键合，并将所述多个微型发光二极管芯片中每个所述微型发光二极管芯片暴露于所述第一键合面的所述第一导电层与驱动晶圆中对应的所述驱动芯片暴露于所述第二键合面的所述第二导电层键合，得到包括多个发光芯片的键合结构，包括：

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述将所述多个微型发光二极管芯片中每个...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴涛，张珂，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：