基于预群聚结构的多注TM31模太赫兹扩展互作用速调管高频结构制造技术

基于预群聚结构的多注TM31模太赫兹扩展互作用速调管高频结构，属于太赫兹技术领域。包括外壳、电子枪阴极、聚束腔和输入与输出端口。该太赫兹扩展互作用速调管高频结构的外壳用于保护其内部结构，电子枪阴极设置在外壳开口的一侧，用于发射多电子注。高频结构设置在外壳内部包裹的真空结构中，输入与输出端口设置在外壳上，用于输出太赫兹辐射。本发明专利技术解决了真空电子器件向太赫兹波段发展时所面临的互作用效率低和输出功率不足的难题，同时增大了太赫兹频段器件的尺寸，有利于工程制管的加工和高功率太赫兹源的实现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及真空电子学太赫兹，尤其涉及一种基于预群聚结构的多注tm31模太赫兹扩展互作用速调管高频结构。

技术介绍

1、太赫兹波(terahertz wave,简称thz)是一种电磁波，其频率介于0.1～10thz，波长范围为3mm～30um。太赫兹波位于远红外和亚毫米波段之间，是电子学和光子学过渡领域。太赫兹波具有独特的电磁波性能，如高透射性、分辨率高、能量小、相干性、频带宽等。thz技术是当前开拓科学新领域的革新手段，其在生物医学、材料科学、无线通讯等方面有着巨大的应用潜力。

2、太赫兹技术的广泛应用离不开太赫兹辐射源，而产生太赫兹波的方法也有多种。其中，基于半导体电子学、光学和光子学、真空电子学等方法都可以产生太赫兹波的辐射源。然而，由于大功率集成化太赫兹辐射源的匮乏，太赫兹波在各个领域中的应用受到了严重制约。传统的扩展互作用速调管虽然是产生高功率太赫兹波的主要方式，但由于高频损耗大、互作用效率低、器件尺寸小等原因，使其难以向太赫兹波段拓展。因此，寻求新的途径来解决太赫兹频段的功率限制和尺寸限制，以产生高功率的太赫兹源。

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【技术保护点】

1.一种基于预群聚结构的多注TM31模太赫兹扩展互作用速调管高频结构，其特征在于，包括：外壳(4)、电子枪阴极(1)、高频结构、多电子注通道(2)、输入与输出端口；

2.按照权利要求1所述的一种基于预群聚结构的多注TM31模太赫兹扩展互作用速调管高频结构，其特征在于，高频结构各腔体的横向延伸方向与所述电子注方向垂直，电子注可根据需要以及各腔体的横向延伸设置多个如3-20等，多电子注及对应的多电子注通道(6)等间距平行。

3.按照权利要求1所述的一种基于预群聚结构的多注TM31模太赫兹扩展互作用速调管高频结构，其特征在于，多电子注通道(2)平行设置于高频结构中心，与...

【技术特征摘要】

1.一种基于预群聚结构的多注tm31模太赫兹扩展互作用速调管高频结构，其特征在于，包括：外壳(4)、电子枪阴极(1)、高频结构、多电子注通道(2)、输入与输出端口；

2.按照权利要求1所述的一种基于预群聚结构的多注tm31模太赫兹扩展互作用速调管高频结构，其特征在于，高频结构各腔体的横向延伸方向与所述电子注方向垂直，电子注可根据需要以及各腔体的横向延伸设置多个如3-20等，多电子注及对应的多电子注通道(6)等间距平行。

3.按照权利要求1所述的一种基于预群聚结构的多注tm31模太赫兹扩展互作用速调管高频结构，其特征在于，多电子注通道(2)平行设置于高频结构中心，与从输入端口进入高频结构中的太赫兹波相互作用将太赫兹波放大，通过输出端口实现太赫兹波输出，进而实现太赫兹波的应用。

4.按照权利要求1所述的一种基于预群聚结构的多注tm31模太赫兹扩展互作用速调管高频结构，其特征在于，预群聚腔，是位于高频结构的中间腔体，其单腔间隙周期数少于其余腔体。

5.按照权利要求1所述的一种基于预...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘湘鹏，王金淑，杨韵斐，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：