【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体涉及一种改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法。
技术介绍
1、刻蚀工艺中的聚合物(polymer)需及时抽离，若聚合物在某处堆积，则容易变成缺陷源，造成晶圆缺陷问题。
2、刻蚀机台中为保护静电吸盘(esc)，用如图1所示的上部边缘环(top edge ring)环绕静电吸盘外围，避免等离子体对静电吸盘造成损伤，但静电吸盘和上部边缘环之间的距离很难精准控制，容易造成二者间距离不一致，间隙较小的位置会导致聚合物堆积，造成晶圆(wafer)缺陷问题且出现的缺陷位置在晶圆边缘区域。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本申请的目的在于提供一种改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法，用于解决刻蚀机台的静电吸盘与上部边缘环之间的距离偏差造成晶圆边缘缺陷的问题。
2、为实现上述目的及其它相关目的，本申请提供一种改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法，包括：
3、步骤一，在刻蚀机台的定期保养期间，对静电吸盘实施升温操作，使静电吸盘和上部边缘环
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1.一种改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤一中，根据所述静电吸盘的材质确定升温数值，在保证不损坏所述静电吸盘的前提下，使所述静电吸盘膨胀放大到能够和所述上部边缘环紧密贴合。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述步骤一的时长为所述静电吸盘升温所需时长与所述静电吸盘和所述上部边缘环紧密贴合持续时长之和。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤二中，根据所述静电吸盘的材质确定降温数值，使所述静电吸盘回复到初始状态。
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【技术特征摘要】
1.一种改善刻蚀机台造成的晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤一中，根据所述静电吸盘的材质确定升温数值，在保证不损坏所述静电吸盘的前提下，使所述静电吸盘膨胀放大到能够和所述上部边缘环紧密贴合。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，实施所述步骤...
【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，管玉东，樊士文，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：
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