一种基于二氧化钒的MOSFET器件制造技术

本发明专利技术公开了一种基于二氧化钒的MOSFET器件，包括从下到上依次设置的Si/SiO<subgt;2</subgt;基底层、Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;层、VO<subgt;2</subgt;栅极层，在VO<subgt;2</subgt;沟道层上设置HfO<subgt;2</subgt;栅极层和源漏电极，所述HfO<subgt;2</subgt;栅极层将源漏电极隔开，在HfO<subgt;2</subgt;栅极层上设置栅电极层。该器件能够较好的保持栅极层二氧化钒的电阻变化率，从而提高MOSFET器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种基于二氧化钒的mosfet器件。

技术介绍

1、场效应管(fet)的主要特点有如下两个方面：1、场效应管有一个由电压控制的栅极，该栅极电压通过电场间接控制源漏电流。2、场效应管的栅极输入电流很小，可以用很小的电流控制源漏大电流。场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的id电流，用栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压进行控制”。

2、金属氧化物制作的fet器件也被称作金属–氧化物–半导体晶体管(mosfet)。自1960年被贝尔实验室的韩裔科学家江大原(dawon.kahng)和马丁.阿塔拉(m.m.atalla)专利技术以来，mosfet被广泛的应用到大规模及超大规模集成电路中，主要用作二进制计算的逻辑电路。

3、二氧化钒是文献favaloro tela；；suh joonki；；vermeersch bjorn；；liu kai；；gu yijia；；chen long-qing；；wang kevin x；；wu junqiao；；shakouri ali.directobs本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于二氧化钒的MOSFET器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的MOSFET器件，其特征在于，所述HfO2栅极层的厚度为10-20nm。

3.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的MOSFET器件，其特征在于，所述过渡层的材料为Al2O3。

4.根据权利要求3所述的基于二氧化钒的MOSFET器件，其特征在于，所述过渡层的厚度为40-50nm。

5.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的MOSFET器件，其特征在于，所述VO2沟道层的厚度为30-40nm。

6.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的MOSFE...

【技术特征摘要】

1.一种基于二氧化钒的mosfet器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的mosfet器件，其特征在于，所述hfo2栅极层的厚度为10-20nm。

3.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的mosfet器件，其特征在于，所述过渡层的材料为al2o3。

4.根据权利要求3所述的基于二氧化钒的mosfet器件，其特征在于，所述过渡层的厚度为40-50nm。

5.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的mosfet器件，其特征在于，所述vo2沟道层的厚度为30-40nm。

6.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的mosfet器件，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵云开，陈鑫，戴宁，黄田田，杨万丽，
申请(专利权)人：国科大杭州高等研究院，
类型：发明
国别省市：