晶圆原子层沉积反应设备的调度方法、系统、设备及介质技术方案

本发明专利技术公开了一种晶圆原子层沉积反应设备的调度方法、系统、设备及介质。晶圆原子层沉积反应设备至少包括前端调度单元、预抽真空室、后端调度单元和反应腔室；原子层沉积反应设备的调度方法包括：获取预抽真空室的阀门开启状态信息；获取前端调度单元的第一工作状态以及后端调度单元的第二工作状态；根据阀门开启状态信息和第一工作状态调整前端调度单元的动作流程；获取反应腔室的第三工作状态；根据阀门开启状态信息和第二工作状态以及第二工作状态和第三工作状态分别调整后端调度单元的动作流程。实现各单元动作流程有机结合，简化传输逻辑，并对晶圆原子层沉积反应设备运行状态的实时获取，优化设备运行效率，提高产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜生长，尤其涉及一种晶圆原子层沉积反应设备的调度方法、系统、设备及介质。

技术介绍

1、原子层沉积过程是一种自限制的薄膜生长过程，通过将不同的前驱体轮流通入反应腔室进行沉积，能够获得保形性良好、表面粗糙度低的薄膜。但是现有技术中需要提前预估并计算每个硅片的传输所需时长，然后进行比较判断，再选取合适的调度流程。上述方式的问题在于计算复杂、逻辑繁琐，由于在传输开始前就确定了传输顺序，无法灵活动态地应对实际生产情况，造成传片策略不合理、设备利用率不高的情况，影响产能效率。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种晶圆原子层沉积反应设备的调度方法、系统、设备及介质，前端调度单元、预抽真空室、后端调度单元和反应腔室各单元存在各自动作流程，并与相邻模块存在关联，简化传输逻辑，实现对晶圆原子层沉积反应设备的运行状态的精准调度和管理，提高设备运行的效率。

2、根据本专利技术的一方面，提供了一种晶圆原子层沉积反应设备的调度方法，其特征在于，晶圆原子层沉积反应设备至少包括前端调度单元、预抽真空室、后端调本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆原子层沉积反应设备的调度方法，其特征在于，晶圆原子层沉积反应设备至少包括前端调度单元、预抽真空室、后端调度单元和反应腔室；

2.根据权利要求1所述的晶圆原子层沉积反应设备的调度方法，其特征在于，所述预抽真空室至少包括常压侧门阀和真空侧门阀；

3.根据权利要求2所述的晶圆原子层沉积反应设备的调度方法，其特征在于，根据所述阀门开启状态信息和所述第一工作状态调整所述前端调度单元的动作流程，包括：

4.根据权利要求3所述的晶圆原子层沉积反应设备的调度方法，其特征在于，所述晶圆原子层沉积反应设备还包括进料口和冷却台；

5.根据权利要求2所...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆原子层沉积反应设备的调度方法，其特征在于，晶圆原子层沉积反应设备至少包括前端调度单元、预抽真空室、后端调度单元和反应腔室；

2.根据权利要求1所述的晶圆原子层沉积反应设备的调度方法，其特征在于，所述预抽真空室至少包括常压侧门阀和真空侧门阀；

3.根据权利要求2所述的晶圆原子层沉积反应设备的调度方法，其特征在于，根据所述阀门开启状态信息和所述第一工作状态调整所述前端调度单元的动作流程，包括：

4.根据权利要求3所述的晶圆原子层沉积反应设备的调度方法，其特征在于，所述晶圆原子层沉积反应设备还包括进料口和冷却台；

5.根据权利要求2所述的晶圆原子层沉积反应设备的调度方法，其特征在于，根据所述阀门开启状态信息和所述第二工作状态以及所述第二工作状态和所述第三工作状态分别调整所述后端调度单元的动作流程，包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，朱凌锋，芮志仲，刘之珩，季冬，高挺，
申请(专利权)人：浙江求是创芯半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：