一种发光二极管照明装置，包括若干发光二极管、一基座及一灯罩，该灯罩包括一反射斜面，该基座收容于该灯罩内，该基座呈上窄下宽的结构，包括一倾斜的侧面，该若干发光二极管分布在该倾斜的侧面上。与现有技术相比较，本发明专利技术的发光二极管照明装置在原有结构尺寸下增加可用于安装发光二极管的面积，故可安装更多的发光二极管，提高整个发光二极管照明装置的光通量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种照明装置，尤指一种具有发光二极管的照明装置。技术背景随着科学技术的进步，从一般鴒丝灯发展到现在的冷阴极荧光灯管(Cold Cathode Fluorescent Lamp, CCFL )及发光二极管(Light Emitting Diode, LED )， 皆是朝向体积缩小的方向发展。而目前CCFL因为体积几乎是不能再缩小，而且CCFL升压到600伏特电压 时会发生干扰，另CCFL会造成汞污染的问题，使得部分国家也将予以禁用。 而LED具有环保、亮度高、省电、寿命长等诸多特点，所以LED将渐渐取代 CCFL。然，单个发光二极管的光通量较少，发光二极管照明装置需安装较多 发光二极管才能满足照明需求。若发光二极管安装于平面上，发光二极管的 数量受到照明装置的结构尺寸限制，进而发光二极管照明装置的光通量受到 限制，也无法满足光均匀分布的要求。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种光通量较大且出光均匀的发光二极管照明装置。 一种发光二极管照明装置，包括若干发光二极管、 一基座及一灯罩，该 灯罩包括一反射斜面，该基座收容于该灯罩内，该基座呈上窄下宽的结构， 包括一倾斜的侧面，该若干发光二极管分布在该倾斜的侧面上。与现有技术相比较，本专利技术的发光二极管照明装置将发光二极管分布于 基座的倾斜的側面上，在原有结构尺寸下增加可用于安装发光二极管的面积， 故可安装更多的发光二极管，提高发光二极管照明装置的整体光通量及出光 的均匀性。附图说明图1为本专利技术 一较佳实施例的剖面示意图。图2为本专利技术又一较佳实施例的基座的立体示意图。具体实施方式请参阅图l,发光二极管灯具包括一灯罩1、 一基座2、凸透镜4、密封 罩5及若干发光二极管30、 31、 32、 33、 34。灯罩l呈上宽下窄的杯状，包括一底面ll及一反射斜面12，该反射斜 面12由底面11的外缘斜向上且向外突出形成，底面ll与反射斜面12共同 围绕形成一容纳空间13,即反射斜面12环绕于容纳空间13的外围，灯罩l 的顶部中央处有一开口 131。反射斜面12的展开图为一扇环，反射斜面12 的外径从底面ll朝向开口 131的方向逐渐增大。反射斜面12上涂敷有反射 率高的材料，如水银、铝、银、金、铜等。基座2呈正圆台状，收容于灯罩l的容纳空间13中央处，包括一上表面 21、 一侧面22及一下表面23，上表面21及下表面23均为圓形，且上表面 21的直径小于下表面23的直径，即上表面21的面积小于下表面23的面积， 下表面23与上表面21相对设置，下表面23平贴于灯罩1的底面11上。侧 面22位于上表面21与下表面23之间，侧面22呈圆环状，由下而上向内倾 斜，即側面22的外径沿下表面23至上表面21的方向逐渐减少，形成为上窄 下宽的结构，侧面22的展开图为一扇环。基座2的外表面，即上表面21与 侧面22,均匀开设有若干结构相同的杯状凹座70、 71、 72，其中杯状凹座 70位于基座2的上表面21,杯状凹座71、 72位于基座2的侧面22，发光二 极管30、 31、 32分别位于杯状凹座70、 71、 72内。杯状凹座70呈上宽下窄 的倒圓台状，其顶面具有一上开口 700，凸透镜4罩设于杯状凹座70的上开 口 700处，将发光二极管30密封于杯状凹座70内，杯状凹座70的侧面701 的展开图为一扇环，并涂覆有反射率高的材料，如水银、铝、银、金、铜等。 i殳置于基座2的侧面22上的杯状凹座71 、72具有与杯状凹座70类似的结构。密封罩5由可透光的透明材质制成，呈圓盘状，罩设于容纳空间13的上 方，将容纳空间13的开口 131密封，起到防尘防水等保护作用。发光二极管30、 31、 32不仅可分布于基座2的上表面21，还可分布于4基座2的侧面22,从而在原有发光二极管照明装置的结构尺寸下，大大增加 发光二极管30、 31、 32的安装面积，可安装更多发光二极管，进而增加发光 二极管照明装置的光通量，满足照明需求。另，在反射斜面12的配合下，分 布于基座2的侧面22上的发光二极管31 、 32所发出绝大部分光线经反射斜 面12反射后竖直向上经由密封罩5射出，增加光分布的均匀性。图2示出本专利技术的又一较佳实施例，与上述实施例不同之处在于，基座 6呈正四棱台状，包括上表面61、左侧面620、右侧面621、前侧面622、后 侧面623及下表面63，下表面63用于平贴至灯罩1的底面ll上。上表面61 与下表面63均为正方形，且上表面61的边长小于下表面63的边长，即上表 面61的面积小于下表面63的面积。左侧面620、右侧面621、前侧面622及 后侧面623分别连接于上表面61与下表面63之间，左侧面620、右侧面621 、 前侧面622及后侧面623的形状结构相同，均为等腰梯形，且均由下而上向 内倾斜，即基座6的横截面面积沿下表面63到上表面61方向逐渐减少。基 座6的外表面，即上表面61、左侧面620、右侧面621、前侧面622及后侧 面623，均勻开设有形状结构相同的杯状凹座70、 71、 72、 73、 74，其中， 杯状凹座70位于上表面61,杯状凹座71位于左侧面620，杯状凹座72位于 右侧面621,杯状凹座73位于前侧面622，杯状凹座74位于后侧面623，发 光二极管30、 31、 32、 33、 34分别分布于杯状凹座70、 71、 72、 73、 74中。 当然上述基座6也不限于此处提到的正四棱台状，只要基座6呈上窄下宽的 任意棱台状或棱锥状，例如三棱台、五棱台、三棱锥、五棱锥等，而能够使 发光二极管分布于倾斜的侧面上，均可实现本专利技术的技术效果。当基座6呈 任意棱台状时，上表面61及下表面63均为多边形，侧面的数量与多边形的 边数相同，且每一侧面为梯形。当基座6呈任意棱锥状时，上表面61及下表 面63均为多边形，侧面的数量与多边形的边数相同，且每一侧面为三角形。另，本领域技术人员还可于本专利技术精神内做其它变化，只要基座2、 6 呈上窄下宽的立体结构，基座2、 6的侧面由下而上向内倾斜，能够使发光二 极管分布于倾斜的侧面上，均可实现本专利技术的技术效果。这些依据本专利技术精 神所做的变化，都应包含在本专利技术所要求保护的范围之内。权利要求1.一种发光二极管照明装置，包括若干发光二极管及一灯罩，该灯罩包括一反射斜面，其特征在于，还包括一基座，该基座收容于该灯罩内，该基座呈上窄下宽的结构，包括一倾斜的侧面，该若干发光二极管分布在该倾斜的侧面上。2. 根据权利要求l所述的发光二极管照明装置，其特征在于，该基座还 包括一上表面及一下表面，该侧面位于该上表面及下表面之间且由下而上向 内倾斜，该基座的下表面设置在灯罩上，该基座的上表面安装有至少一发光 二极管。3. 根据权利要求1或2所述的发光二极管照明装置，其特征在于，该基 座的侧面上对应发光二极管分别开设有若干杯状凹座，该若干个发光二极管 位于对应的杯状凹座内。4. 才艮据权利要求3所述的发光二极管照明装置，其特征在于，还包括若 干个凸透镜，该若干个凸透镜分别罩设于该若干杯状凹座上方。5. 根据权利要求3所述的发光二极管照明装置，其特征在于，该杯状凹 座呈上宽下窄的倒圆台状。6. 根据权利要求2所述的发光二极管照明本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光二极管照明装置，包括若干发光二极管及一灯罩，该灯罩包括一反射斜面，其特征在于，还包括一基座，该基座收容于该灯罩内，该基座呈上窄下宽的结构，包括一倾斜的侧面，该若干发光二极管分布在该倾斜的侧面上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张家寿，
申请(专利权)人：富准精密工业深圳有限公司，鸿准精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]
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