提高硬盘抗浪涌能力的方法及相应的集成芯片技术

技术编号:42166138 阅读:16 留言:0更新日期:2024-07-27 00:14
本发明专利技术涉及到提高硬盘抗浪涌能力的方法及相应的集成芯片。集成芯片包括开设在衬底正面的具有多个沟槽的沟槽集群,沟槽的内壁均设置有绝缘层及每个沟槽的内部均填充有导电材料。第一阱区植入第一掺杂区、重掺杂区及第三掺杂区、联结区。第二阱区植入第二掺杂区和第四掺杂区。连接至重掺杂区、第三掺杂区的浪涌信号在使第一掺杂区与联结区间的结点反向击穿时,第一、第二掺杂区与衬底之间的双极晶体及第三、第四掺杂区与第一阱区之间的双极晶体管被触发导通而泄放浪涌信号。沟槽内的导电材料的存储电荷之等效电压用于夹断处于反向击穿状态下的结点流向衬底的电流通道。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术主要涉及到存储硬盘的,更确切的说,涉及到了可提高硬盘抗浪涌能力的方法及相应的可提高硬盘抗浪涌能力的集成芯片。


技术介绍

1、传统硬盘热插拔设计存在诸多缺点。硬盘的主板热插入到系统后,产生的浪涌电压无法得到抑制,这种瞬时高电压、高电流会直接冲击到相关电子元器件,造成硬盘对接的相关元器件的当场损毁或降低元器件的可用寿命。由于硬盘的主板存在板级电容或存在着线路寄生电容,存储系统在插入硬盘之后,对接硬盘的存储系统需对硬盘及其主板供电且各类电容存在充电行为,这会瞬态拉低系统电压,硬盘及系统双双受损。关于如何提高硬盘抗浪涌能力,是业界亟待解决的严峻问题。


技术实现思路

1、本申请涉及一种集成芯片(或称集成芯片结构),其特征在于,包括:

2、开设在一个第一导电类型的衬底正面的具有多个沟槽的沟槽集群,每个沟槽的内壁均设置有绝缘层及每个沟槽的内部均填充有导电材料;

3、植入在衬底正面的第二导电类型的第一阱区,植入在衬底背面的第一导电类型的第二阱区,第一阱区和第二阱区分别位于沟槽集群的相对侧;<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成芯片,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的集成芯片,其特征在于:

3.根据权利要求2所述的集成芯片,其特征在于:

4.根据权利要求1所述的集成芯片,其特征在于:

5.根据权利要求1所述的集成芯片,其特征在于:

6.根据权利要求1所述的集成芯片,其特征在于:

7.根据权利要求1所述的集成芯片,其特征在于:

8.根据权利要求1所述的集成芯片,其特征在于:

9.根据权利要求8所述的集成芯片,其特征在于:

10.一种提高硬盘抗浪涌能力的方法,其特征在于,使用一个集成芯片...

【技术特征摘要】

1.一种集成芯片,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的集成芯片,其特征在于:

3.根据权利要求2所述的集成芯片,其特征在于:

4.根据权利要求1所述的集成芯片,其特征在于:

5.根据权利要求1所述的集成芯片,其特征在于:

6.根据权利要求1所述的集成芯...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙楠楠潘菊于梦蛟
申请(专利权)人:百代上海数据技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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