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本发明涉及到提高硬盘抗浪涌能力的方法及相应的集成芯片。集成芯片包括开设在衬底正面的具有多个沟槽的沟槽集群，沟槽的内壁均设置有绝缘层及每个沟槽的内部均填充有导电材料。第一阱区植入第一掺杂区、重掺杂区及第三掺杂区、联结区。第二阱区植入第二掺杂区...
该专利属于百代（上海）数据技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过百代（上海）数据技术有限公司授权不得商用。

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