离子插层的人工突触器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种离子插层的人工突触器件及其制备方法，涉及类脑器件的技术领域，本发明专利技术旨在提出一种能耗更低的人工突触器件的技术方案。本发明专利技术包括顺次设置的顶电极、供离子层、阻变层以及底电极，所述阻变层为离子插层的Nb<subgt;2</subgt;C材料。所述供离子层为Nafion薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及类脑器件的，具体涉及一种离子插层的人工突触器件及其制备方法。

技术介绍

1、为从根本上解决冯·诺依曼瓶颈，众多科研学者提出了很多方法。受人脑启发，人脑每个神经元都与大约104个其他神经元相连，然后其单个突触能耗低至10 fj，究其原因，人脑与计算机计算单元最大区别在于，单个神经突触均可以同时实现信息的存储与计算，很大程度上减少了信息传递所产生的能耗损失。因此，低能耗的类脑器件应运而生。人工突触器件工作机制不同可分为导电细丝型、相变型等，导电细丝型和相变型人工突触受限于较高的操作电压，致使其存在能耗高的缺点；其次，相变型人工突触工作机制为外界脉冲刺激下，非晶和晶相的可逆转变实现电导状态的改变。该突触有两个导电电极之间的相变材料组成，由底部电极绝缘体包围的加热器传递热量，实现相变材料的可逆转变，当电流产生的热量超过相变材料的结晶温度时，非晶区发生结晶。相反，当温度超过熔点时，结晶区熔化并淬火成非晶相。相变型人工突触器件的电导变化依赖于内部的热量分布，相变所需热量由底部加热器供给，导致热量分布难以精准控制和定位，导致相变过程形成导电导通位置不可控、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种离子插层的人工突触器件，其特征在于：包括顺次设置的顶电极、供离子层、阻变层以及底电极，所述阻变层为离子插层的Nb2C材料。

2.根据权利要求1所述的离子插层的人工突触器件，其特征在于：所述供离子层为Nafion薄膜。

3.一种如权利要求2所述的离子插层的人工突触器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述离子插层Nb2C分散液分布旋涂，分别以2000rpm的转速旋涂20s和以2500rpm的转速旋涂5s。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述Nafion分布旋涂，分别以...

【技术特征摘要】

1.一种离子插层的人工突触器件，其特征在于：包括顺次设置的顶电极、供离子层、阻变层以及底电极，所述阻变层为离子插层的nb2c材料。

2.根据权利要求1所述的离子插层的人工突触器件，其特征在于：所述供离子层为nafion薄膜。

3.一种如权利要求2所述的离子插层的人工突触器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张跃，苏兆洋，廖庆亮，赵璇，荀晓晨，刘菁筱，宣景悦，张珂语，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：