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本发明公开了一种离子插层的人工突触器件及其制备方法，涉及类脑器件的技术领域，本发明旨在提出一种能耗更低的人工突触器件的技术方案。本发明包括顺次设置的顶电极、供离子层、阻变层以及底电极，所述阻变层为离子插层的Nb<subgt;2<...
该专利属于北京科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京科技大学授权不得商用。

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