【技术实现步骤摘要】
本技术涉及功率半导体器件测试，具体涉及一种功率半导体器件的射线辐照试验装置。
技术介绍
1、功率半导体器件是特高压直流输电核心装备－换流阀的主要组成部件，因此需要对高海拔应用场景下功率半导体器件的可靠性进行评估，目前有效的方法是提高射线辐射注量率对功率器件或其组成芯片开展加速寿命试验。
2、功率器件的加速寿命试验需要加载可变的电压和温度，应进行电气绝缘隔离以保证人身和设备安全，并可方便的调整辐照角度。传统试验方法一般是将将器件或其组成芯片悬挂或采用简易结构件临时支撑，这种方法无法保证接触可靠性及支撑稳定性，安装操作也不方便。
技术实现思路
1、因此，本技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的功率器件试验中，一般是将器件或其组成芯片悬挂或采用简易结构件临时支撑，存在稳定性不足的缺陷，从而提供一种功率半导体器件的射线辐照试验装置。
2、为了解决上述问题，本技术提供了一种功率半导体器件的射线辐照试验装置，包括：
3、对应设置的支撑前框架和支撑后框架，所述支撑前...
【技术保护点】
1.一种功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述支撑前框架(1)设有凹槽(9)，所述支撑后框架(5)设有凹槽(9)，所述第一夹板(7)的两端设有凸起端(12)，所述第二夹板(8)的两端设有凸起端(12)，所述凸起端(12)与凹槽(9)适配。
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述支撑前框架(1)和支撑后框架(5)的截面均为“U”形，所述支撑前框架(1)的两个水平支撑端(11)均设有凹槽(9)，所述支撑后框架(5)的两个水平...
【技术特征摘要】
1.一种功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述支撑前框架(1)设有凹槽(9)，所述支撑后框架(5)设有凹槽(9)，所述第一夹板(7)的两端设有凸起端(12)，所述第二夹板(8)的两端设有凸起端(12)，所述凸起端(12)与凹槽(9)适配。
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述支撑前框架(1)和支撑后框架(5)的截面均为“u”形，所述支撑前框架(1)的两个水平支撑端(11)均设有凹槽(9)，所述支撑后框架(5)的两个水平支撑端(11)均设有凹槽(9)。
4.根据权利要求3所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述支撑前框架(1)的竖向框(14)设有通孔，所述支撑后框架(5)的竖向框(14)设有通孔。
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件的射线辐照试验装置，其特征在于，所述支撑前框架(1)的通孔与支撑后框架(5)的通孔大...
【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳文敏，王成昊，杨俊，张升，
申请(专利权)人：国网智能电网研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：
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