栅氧层的制备方法及半导体结构技术

本发明专利技术提供一种栅氧层的制备方法及半导体结构，包括：提供一基底，基底具有高压器件区域、中压器件区域、中低压器件区域和低压器件区域，高压器件区域上形成有高压栅氧层；形成硬掩膜层，硬掩膜层覆盖高压栅氧层及低压器件区域；形成中压栅氧层，中压栅氧层覆盖中压器件区域及中低压器件区域；以及，刻蚀去除中低压器件区域上部分厚度的中压栅氧层，以形成中低压栅氧层。与现有技术相比，在无需增加光罩的前提下额外制备了一层介于中压及低压之间的栅氧层，为高压集成电路新增了一种可供客户选择的器件结构；在制备中压及中低压栅氧层时，通过硬掩膜层对高压及低压器件区域进行保护，避免了对低压器件区域及已制备的高压栅氧层带来负面的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种栅氧层的制备方法及半导体结构。

技术介绍

1、目前28nm制程的高压集成电路工艺平台通常包括有静态储存器(sram电路)的lv(0.9v)器件、源驱动电路的mv(8v)器件和门驱动电路的hv(32v或25v)器件。

2、高压集成电路各类器件栅氧层的制备顺序如下：先通过热氧化的方式生长高压区域栅氧层；然后在整个基底表面生长中压器件所需的栅氧层；最后通过光阻保护中压器件栅氧区域，通过湿法刻蚀将其他区域在该过程中同步生长的栅氧层去除，完成中压栅氧区域；接着再次在基底表面涂覆光刻胶，仅打开低压器件所在区域，通过酸液清洗掉表面的牺牲氧化层后，生长低压器件所需栅氧，完成所有栅氧层的制备。

3、现有工艺仅能提供三种栅氧厚度，但是有的客户需求介于中压和低压之间的器件，比如3.3v或1.8v。我们目前惯用的方法为：保持中压器件的栅氧厚度不变，沟道(channel)长度的适量缩减。但存在如下问题：(1)缩减的空间有限；(2)缩减后，依然有饱和区漏极电流(idsat)太小和关断的阈值电流(ioff)太大的问题。此外，由于本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种栅氧层的制备方法，其特征在于，包括:

2.如权利要求1所述的栅氧层的制备方法，其特征在于，形成所述硬掩膜层的方法包括：

3.如权利要求1所述的栅氧层的制备方法，其特征在于，形成所述中压栅氧层及所述低压栅氧层的方法包括：

4.如权利要求3所述的栅氧层的制备方法，其特征在于，通过原位蒸汽生成工艺形成所述第一栅氧膜层。

5.如权利要求3或4所述的栅氧层的制备方法，其特征在于，所述第一栅氧膜层的厚度为30～100埃。

6.如权利要求3所述的栅氧层的制备方法，其特征在于，通过高温氧化工艺形成所述第二栅氧膜层。</p>

7.如权...

【技术特征摘要】

1.一种栅氧层的制备方法，其特征在于，包括:

2.如权利要求1所述的栅氧层的制备方法，其特征在于，形成所述硬掩膜层的方法包括：

3.如权利要求1所述的栅氧层的制备方法，其特征在于，形成所述中压栅氧层及所述低压栅氧层的方法包括：

4.如权利要求3所述的栅氧层的制备方法，其特征在于，通过原位蒸汽生成工艺形成所述第一栅氧膜层。

5.如权利要求3或4所述的栅氧层的制备方法，其特征在于，所述第一栅氧膜层的厚度为30～100埃。

6.如权利要求3所述的栅氧层的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：周家民，王奇伟，顾珍，张磊，陈昊瑜，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：