【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种spad器件及其制备方法。
技术介绍
1、为了探测到单光子量级的信号，研究人员将雪崩光电二极管的工作电压调至击穿电压以上，在这种状态下工作的雪崩光电二极管被称为单光子雪崩二极管(spad)，工作的模式称为盖革模式。在spad上加高反向偏压时，p-n结处于高电场状态，当有光子吸收时，在结区就会产生自维持的雪崩，流过器件的电流倍增，spad被瞬间导通。
2、光子探测效率(pde，photon detection efficiency)是指入射光子在p-n结区产生雪崩从而诱发一次计数的概率，填充因子大的spad，其探测到光子的效率也就更高，提高spad器件的填充因子对器件的集成化和小型化有重要的影响。目前制造spad器件相关工艺有fsi(前照式)、bsi(背照式)、uts(堆栈式)等，fsi的光子探测最低。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种spad器件及其制备方法，以解决现有spad器件光子控测效率较差的问题。
2、为解决上...
【技术保护点】
1.一种制备前照式SPAD器件的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的制备前照式SPAD器件的方法，其特征在于，刻蚀去除各所述介质阻挡层位于所述SPAD结构上方的部分的方法包括：
3.如权利要求2所述的制备前照式SPAD器件的方法，其特征在于，每两层所述介质阻挡层之间形成有一互连介质层；在各所述介质阻挡层位于所述SPAD结构上方的部分被刻蚀去除之后，利用所述互连介质层填充相应所述介质阻挡层被刻蚀去除的部分。
4.如权利要求1所述的制备前照式SPAD器件的方法，其特征在于，刻蚀去除各所述介质阻挡层位于所述SPAD结构上方的部
【技术特征摘要】
1.一种制备前照式spad器件的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的制备前照式spad器件的方法，其特征在于，刻蚀去除各所述介质阻挡层位于所述spad结构上方的部分的方法包括：
3.如权利要求2所述的制备前照式spad器件的方法，其特征在于，每两层所述介质阻挡层之间形成有一互连介质层；在各所述介质阻挡层位于所述spad结构上方的部分被刻蚀去除之后，利用所述互连介质层填充相应所述介质阻挡层被刻蚀去除的部分。
4.如权利要求1所述的制备前照式spad器件的方法，其特征在于，刻蚀去除各所述介质阻挡层位于所述spad结构上方的部分的方法包括：
5.如权利要求4所述的制备前照式spad器件的方法，其特征在于，每一所述介质阻挡层上形成有一互连介质层；刻蚀去除各所述介...
【专利技术属性】
技术研发人员：李哲，秋沉沉，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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