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本发明提供一种栅氧层的制备方法及半导体结构，包括：提供一基底，基底具有高压器件区域、中压器件区域、中低压器件区域和低压器件区域，高压器件区域上形成有高压栅氧层；形成硬掩膜层，硬掩膜层覆盖高压栅氧层及低压器件区域；形成中压栅氧层，中压栅氧层覆...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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