多光束半导体激光器制造技术

技术编号:42159095 阅读:32 留言:0更新日期:2024-07-27 00:09
本技术涉及半导体激光器领域,尤其涉及一种多光束半导体激光器,包括从下至上的N面金属电极、衬底、外延层、电绝缘层和P面金属电极;在外延层的表面向下刻蚀形成模式过滤结构,模式过滤结构的位置对应于特定阶数侧向模式的波峰处,以抑制特定阶数侧向模式激射,从而筛选出多个分离的侧模共同激射,使半导体激光器稳定工作在分离的多个侧向模式,实现多束激光输出。本技术通过在外延层上形成多个选择性的模式过滤结构,以在半导体激光器工作时引入选择性损耗,增大要抑制侧向模式的光损耗,从而选取特定的多个侧向模式工作,选定的侧向模式输出分离的窄光束,从而获得稳定的、多光束激光输出。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体激光器,尤其涉及一种多光束半导体激光器


技术介绍

1、激光扫描与探测技术在打印、光刻、感测、激光雷达、机器视觉定位、智能安防、服务机器人等领域具有广泛的应用,其中对光束进行快速和精准扫描是非常关键的技术。目前激光应用系统的扫描方式主要通过控制旋转或振动反射镜来改变光束的传播方向。单光束扫描可以实现较大的扫描角度,但主要缺点是扫描频率较低。多光束扫描相对单光束扫描,能同时实现高分辨率及高速光束输出,因此高端系统通常在某个方向上排布多束激光,以“线”代替“点”进行扫描。

2、传统获得多光束激光的方法主要有两种:一种是将一束激光分成多束;另一种方法是将多个不同激光器发出的激光束精确偏转、耦合在一起,形成多光束激光输出。上述两种方法需要复杂的光学对准,加工难度较大,成本高,不利于大批量生产。由于激光器的远场图案由输出腔面的电场分布通过傅立叶变换决定,采用先进的光波导可以控制激光器的近场分布,从而获得不同远场图案的激光输出。研究者们采用二维光子晶体、超透镜,在单个面发射半导体激光器上实现了不同远场图案的激光输出,但是这种器件制备需要采用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多光束半导体激光器,包括衬底,在所述衬底的下表面制备有N面金属电极,在所述衬底的上表面制备有外延层,在所述外延层的上表面制备有电绝缘层和P面金属电极;其特征在于,在所述外延层的表面向下刻蚀形成模式过滤结构,所述模式过滤结构的位置对应于特定阶数侧向模式的波峰处,以抑制特定阶数侧向模式激射,从而筛选出多个分离的侧模共同激射,使半导体激光器稳定工作在分离的多个侧向模式,实现多束激光输出。

2.如权利要求1所述的多光束半导体激光器,其特征在于,所述外延层包括从下至上的N型缓冲层、N型包层、N型波导、有源层、P型波导、P型包层和P型盖层,在所述P型盖层的表面向下刻蚀至所述P型包...

【技术特征摘要】

1.一种多光束半导体激光器,包括衬底,在所述衬底的下表面制备有n面金属电极,在所述衬底的上表面制备有外延层,在所述外延层的上表面制备有电绝缘层和p面金属电极;其特征在于,在所述外延层的表面向下刻蚀形成模式过滤结构,所述模式过滤结构的位置对应于特定阶数侧向模式的波峰处,以抑制特定阶数侧向模式激射,从而筛选出多个分离的侧模共同激射,使半导体激光器稳定工作在分离的多个侧向模式,实现多束激光输出。

2.如权利要求1所述的多光束半导体激光器,其特征在于,所述外延层包括从下至上的n型缓冲层、n型包层、n型波导、有源层、p型波导、p型包层和p型盖层,在所述p型盖层的表面向下刻蚀至所述p型包层或所述p型波导形成所述模式过滤结构。

3.如权利要求2所述的多光束半导体激光器,其特征在于,所述模式过滤结构沿纵向-侧向非...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪丽杰佟存柱刘亚楠彭航宇
申请(专利权)人:吉光半导体科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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