【技术实现步骤摘要】
本公开涉及衬底处理系统中的可移动的边缘环。
技术介绍
1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
2、衬底处理系统可用于处理诸如半导体晶片之类的衬底。可以在衬底上执行的示例性处理包括但不限于化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)、导体蚀刻和/或其他蚀刻、沉积或清洁工艺。衬底可以布置在衬底处理系统的处理室中的衬底支撑件上，衬底支撑件例如基座、静电卡盘(esc)等。在蚀刻期间，可以将包括一种或多种前体的气体混合物引入处理室，并且可以使用等离子体来引发化学反应。
3、衬底支撑件可包括布置成支撑晶片的陶瓷层。例如，晶片可以在处理期间被夹持到陶瓷层上。衬底支撑件可包括围绕衬底支撑件的外部部分(例如，周边的外部和/或邻近周边)布置的边缘环。可以提供边缘环以将等离子体约束在衬底上方的体积中，保护衬底支撑件免受等离子体引起的侵蚀等。
【技术保护点】
1.一种底部环，其被配置为在衬底处理系统中支撑可移动的边缘环，所述底部环包括：
2.根据权利要求1所述的底部环，其中所述多个引导通道穿过所述水平部分而不穿过所述竖直向上的台阶或所述竖直向下的台阶。
3.根据权利要求1所述的底部环，其中所述多个引导通道被限定在衬底支撑件的基板和所述水平部分之间。
4.根据权利要求1所述的底部环，其中所述竖直向下的台阶从所述水平部分向下延伸第一距离，所述竖直向上的台阶从所述水平部分向上延伸第二距离，并且所述第一距离不同于所述第二距离。
5.根据权利要求1所述的底部环，其中所述底部环的横截面具...
【技术特征摘要】
1.一种底部环，其被配置为在衬底处理系统中支撑可移动的边缘环，所述底部环包括：
2.根据权利要求1所述的底部环，其中所述多个引导通道穿过所述水平部分而不穿过所述竖直向上的台阶或所述竖直向下的台阶。
3.根据权利要求1所述的底部环，其中所述多个引导通道被限定在衬底支撑件的基板和所述水平部分之间。
4.根据权利要求1所述的底部环，其中所述竖直向下的台阶从所述水平部分向下延伸第一距离，所述竖直向上的台阶从所述水平部分向上延伸第二距离，并且所述第一距离不同于所述第二距离。
5.根据权利要求1所述的底部环，其中所述底部环的横截面...
【专利技术属性】
技术研发人员：希兰·拉吉塔·拉斯那星赫，肖恩·E·S·东海林，乔恩·麦克切斯尼，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。