【技术实现步骤摘要】
本技术涉及单晶硅生成，更具体地说，本技术涉及一种主、副升降自动对中装置。
技术介绍
1、目前，生产单晶硅的方法主要有直拉法、悬浮区熔法、基座法和片状单晶生长法等，其中，由于直拉法生长单晶硅的设备和工艺较为简单，生产效率高，且容易控制单晶中的杂质浓度，因此，直拉法生长单晶硅应用较为广泛，单晶硅生长炉是直拉法制备单晶硅的主要设备。
2、专利授权公告号cn216585318u的技术专利公开了一种直拉法硅单晶生产炉台副室自动定位机构，包括：用于限位直拉法硅单晶生产炉台副室与副室隔离仓的自动定位装置。该技术的有益效果是减小了定位误差，实现副室自动定位功能，减少人员劳动操作，同时实现了副室自动下降，避免定位磨损产生的金属碎屑，影响单晶品质。
3、但是该结构在实际使用时，由于该结构采用红外线检测进行定位，而在炉体内部温度过高时，对红外发射器和接收器的使用寿命造成影响，且在偏移时，需要多次调整，从而降低了对副室的定位效率，因此，现提出一种主、副升降自动对中装置。
技术实现思路
1、...
【技术保护点】
1.一种主、副升降自动对中装置，包括护套（1），其特征在于：所述护套（1）内配合插接有内衬（2），所述内衬（2）顶端套接有定位底座（3），所述内衬（2）、护套（1）与定位底座（3）之间连接有栓钉（8），所述内衬（2）顶端套接有锁紧螺母（4），所述锁紧螺母（4）压接在定位底座（3）顶部，所述内衬（2）内配合插接有定位杆（5），所述定位杆（5）底部套接有固定座（6），所述定位杆（5）上旋接有螺帽（7），所述螺帽（7）顶面与固定座（6）底面贴合。
2.根据权利要求1所述的一种主、副升降自动对中装置，其特征在于：所述内衬（2）内部呈锥形空心结构，且内衬（2）顶端焊...
【技术特征摘要】
1.一种主、副升降自动对中装置，包括护套（1），其特征在于：所述护套（1）内配合插接有内衬（2），所述内衬（2）顶端套接有定位底座（3），所述内衬（2）、护套（1）与定位底座（3）之间连接有栓钉（8），所述内衬（2）顶端套接有锁紧螺母（4），所述锁紧螺母（4）压接在定位底座（3）顶部，所述内衬（2）内配合插接有定位杆（5），所述定位杆（5）底部套接有固定座（6），所述定位杆（5）上旋接有螺帽（7），所述螺帽（7）顶面与固定座（6）底面贴合。
2.根据权利要求1所述的一种主、副升降自动对中装置，其特征在于：所述内衬（2）内部呈锥形空心结构，且内衬（2）顶端焊接有螺筒（10），所述螺筒（10）与内衬（2）内部连通，所述内衬（2）底部焊接有压环（9），所述压环（9）顶面与护套（1）底面贴合，以及内衬（2）顶端呈环形开设有栓孔。
3.根据权利要求2所述的一种主、副升降自动对中装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩龙，王建利，郭嘉伟，董智慧，
申请(专利权)人：乌海市京运通新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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