厚度控制方法、SOI晶圆、电子设备及可读存储介质技术

本发明专利技术提供一种厚度控制方法、SOI晶圆、电子设备及可读存储介质，在对目标SOI晶圆进行双面抛光的过程中，实时监测所述目标SOI晶圆顶层硅的剩余厚度；统计所述目标SOI晶圆顶层硅的剩余厚度由X<subgt;1</subgt;μm变化至X<subgt;2</subgt;μm所用时间t<subgt;1</subgt;，以计算得到一平均速率，其中，X<subgt;1</subgt;大于X<subgt;2</subgt;，且X<subgt;0</subgt;‑X<subgt;1</subgt;＞2，X<subgt;2</subgt;＞10，X<subgt;0</subgt;为所述目标SOI晶圆顶层硅的初始厚度；以及，根据所述平均速率计算所述目标SOI晶圆顶层硅的厚度从当前厚度变化至目标厚度所需时间t<subgt;2</subgt;。如此便可实现在双面抛光制程开始一定时间后，自动化计算剩余抛光时间，从而可解决双面抛光机台在SOI晶圆顶层硅厚度小于10μm时无法激光测量其厚度，难以精确控制达到目标厚度，以及生产出高均匀性的产品的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种厚度控制方法、soi晶圆、电子设备及可读存储介质。

技术介绍

1、绝缘层上硅(soi,silicon on insulator)晶圆目前已成为多数电子材料领域的主流产品之一，随着新能源汽车的高速发展，车规级的soi晶圆随着车载芯片的集成度愈来愈高，soi晶圆从200mm向300mm过渡是必然的发展趋势，高均匀性及厚度自主可控尤为重要。soi晶圆包括从下至上依次堆叠的底层硅、绝缘层和顶层硅，底层硅和顶层硅键合于一体，在底层硅和顶层硅键合于一体之后，一般要将顶层硅的厚度经研磨抛光处理至目标厚度。soi晶圆顶层硅的厚度不均匀可能会导致器件性能不稳定，导致局部电子通道的电流密度不一致，热效应不均匀甚至线宽变化。

2、双面抛光处理为晶圆制造的主要制程之一，其作用主要为消除切削减薄带来的应力损伤，提高晶圆均匀性，得到高平整度低粗糙度的晶圆。选择合适的载具，调整抛光盘的盘型及抛光盘之间的压力分布进而优化硅片平坦度，在抛浆液和机械作用的共同作用下达到低粗糙度的目标。

3、由于双面抛光机台激光测量厚度在soi晶圆顶层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SOI晶圆双面抛光厚度控制方法，所述SOI晶圆包括从下至上依次堆叠的底层硅、绝缘层和顶层硅，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的SOI晶圆双面抛光厚度控制方法，其特征在于，X1-X2≤5μm。

3.如权利要求2所述的SOI晶圆双面抛光厚度控制方法，其特征在于，X1-X2≤3μm。

4.如权利要求1所述的SOI晶圆双面抛光厚度控制方法，其特征在于，X1的取值通过如下方法得到：

5.如权利要求4所述的SOI晶圆双机抛光厚度控制方法，其特征在于，所述统计样品SOI晶圆顶层硅在双面抛光制程中去除速率达到稳定时的剩余厚度，并将统...

【技术特征摘要】

1.一种soi晶圆双面抛光厚度控制方法，所述soi晶圆包括从下至上依次堆叠的底层硅、绝缘层和顶层硅，其特征在于，所述方法包括：

2.如权利要求1所述的soi晶圆双面抛光厚度控制方法，其特征在于，x1-x2≤5μm。

3.如权利要求2所述的soi晶圆双面抛光厚度控制方法，其特征在于，x1-x2≤3μm。

4.如权利要求1所述的soi晶圆双面抛光厚度控制方法，其特征在于，x1的取值通过如下方法得到：

5.如权利要求4所述的soi晶圆双机抛光厚度控制方法，其特征在于，所述统计样品soi晶圆顶层硅在双面抛光制程中去除速率达到稳定时的剩余厚度，并将统计结果作为x1的取值的方法包括：

6.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈猛，缪远，汪子文，魏星，李炜，
申请(专利权)人：上海新傲芯翼科技有限公司，
类型：发明
国别省市：