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本发明提供一种厚度控制方法、SOI晶圆、电子设备及可读存储介质，在对目标SOI晶圆进行双面抛光的过程中，实时监测所述目标SOI晶圆顶层硅的剩余厚度；统计所述目标SOI晶圆顶层硅的剩余厚度由X<subgt;1</subgt;μm变...
该专利属于上海新傲芯翼科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新傲芯翼科技有限公司授权不得商用。

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