键合晶圆的退火方法技术

本发明专利技术提供一种键合晶圆的退火方法，先执行升温处理，以将炉管设备从第一温度以设定升温速率升温至目标温度，并在升温至目标温度时向炉管设备内通入氢气，且保持预设时间后将炉管设备内的氢气排出；执行降温处理，以将炉管设备从目标温度以设定降温速率降温至第一温度；提供键合晶圆，键合晶圆的一表面形成有氧化层；之后，将键合晶圆置于炉管设备内，以执行退火工艺。如此，通过在炉管设备内通入氢气可以清洗氧化层分解残留物，由此将炉管设备内的氧化层分解残留物清除，利用炉管设备对键合晶圆执行退火工艺时，可以避免炉管设备内残留的氧化层分解残留物附着在键合晶圆表面，从而改善键合晶圆表面的颗粒聚集的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种键合晶圆的退火方法。

技术介绍

1、在soi(silicon-on-insulator，绝缘体上的硅)晶圆的制备过程中，在完成soi晶圆中的支撑衬底和器件衬底的键合之后，即形成键合晶圆之后，通常需要对soi晶圆进行退火处理，以使soi晶圆表面平坦化。目前soi晶圆的退火处理需要通过炉管设备来实现，由于soi晶圆表面通常具有氧化层，当进行高温退火时，soi晶圆表面的氧化层会发生分解，并在炉管设备内部形成分解残留物，因此污染了炉管设备的内部环境，并且氧化层分解残留物容易随气流运动，附着于后续执行退火处理的soi晶圆表面，从而导致soi晶圆表面颗粒聚集的问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种键合晶圆的退火方法，以改善键合晶圆的表面颗粒聚集的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提供一种键合晶圆的退火方法，包括：

3、提供炉管设备；

4、执行升温处理，以将所述炉管设备从第一温度以设定升温速率升温至目标温度，并在升温至所述目标温度时本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种键合晶圆的退火方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的键合晶圆的退火方法，其特征在于，执行所述升温处理时，还包括：

3.如权利要求2所述的键合晶圆的退火方法，其特征在于，所述第一温度为400℃～600℃。

4.如权利要求2所述的键合晶圆的退火方法，其特征在于，所述第二温度为700℃～800℃。

5.如权利要求2所述的键合晶圆的退火方法，其特征在于，所述第一升温速率为4℃/min～6℃/min。

6.如权利要求2所述的键合晶圆的退火方法，其特征在于，所述第二升温速率为1℃/min～3℃/min。

7.如...

【技术特征摘要】

1.一种键合晶圆的退火方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的键合晶圆的退火方法，其特征在于，执行所述升温处理时，还包括：

3.如权利要求2所述的键合晶圆的退火方法，其特征在于，所述第一温度为400℃～600℃。

4.如权利要求2所述的键合晶圆的退火方法，其特征在于，所述第二温度为700℃～800℃。

5.如权利要求2所述的键合晶圆的退火方法，其特征在于，所述第一升温速率为4℃/min～6℃/min。

6.如权利要求2所述的键合晶圆的退火方法，其特征在于，所述第二升温...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪子文，周雨浩，魏星，李炜，
申请(专利权)人：上海新傲芯翼科技有限公司，
类型：发明
国别省市：