一种具有异质结的平面型SiC功率器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有异质结的平面型SiC功率器件及制备方法，涉及半导体器件领域，包括第一导电类型SiC基板以及设置于SiC基板中心区的有源区，所述有源区包括若干并列分布的平面型元胞，对于任一平面型元胞，包括平面栅单元、用于减小饱和电流密度的第二导电类型屏蔽区以及用于加快载流子抽取速度的异质结单元；所述异质结单元与SiC基板以及第二导电类型屏蔽区接触，基于异质结单元与SiC基板的接触界面形成异质结；器件反向恢复时，基于异质结形成的异质结二极管导通，异质结单元与SiC基板上方用于形成正面第一电极的正面第一电极金属欧姆接触。该器件优化了反向恢复特性的同时减小了器件的开关损耗，并改善了器件的短路性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件领域，尤其是一种具有异质结的平面型sic功率器件及制备方法。

技术介绍

1、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)由于具备输入阻抗高，驱动简单，高频领域开关性能优越，可以承受高压大电流等特性，已经发展为现代电力电子电路中的核心元器件之一，被广泛应用于交通、通信、家用电器及航空航天各个领域，极大地改善了电力电子系统的性能。

2、近些年来，随着具备优异物理特性和电气性能的宽禁带半导体材料碳化硅(sic)的发现和应用，sic mosfet已经成功商用并表现出优良的性能，在一些应用场合中，sicmosfet的性能虽可以与si基igbt相比拟，但在一些关键性能上仍有优化的空间。

3、目前的sic mosfet在正向导通时饱和电流密度过大，导致器件的短路耐受时间变短，严重影响了器件的短路特性。同时由于sic mosfet的多晶硅栅电极过长，导致器件的栅漏电容cgd和栅漏电荷qgd也相对偏大，进而使器件的开关速度变慢，影响了器件的开关特性。

4、同时，当sic mosfet应用于感性负载电路中，通常将si本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有异质结的平面型SiC功率器件，其特征在于，包括第一导电类型SiC基板以及设置于SiC基板中心区的有源区，所述有源区包括若干并列分布的平面型元胞，其中，

2.根据权利要求1所述的具有异质结的平面型SiC功率器件，其特征在于，所述SiC基板内包括横贯有源区的第一导电类型载流子储存层；

3.根据权利要求1所述的具有异质结的平面型SiC功率器件，其特征在于，所述异质结单元还包括异质结沟槽，所述异质结沟槽位于第一分离栅子单元以及第二分离栅子单元之间，所述导电多晶硅体填充于所述异质结沟槽内；

4.根据权利要求2所述的具有异质结的平面型SiC功率器件，其...

【技术特征摘要】

1.一种具有异质结的平面型sic功率器件，其特征在于，包括第一导电类型sic基板以及设置于sic基板中心区的有源区，所述有源区包括若干并列分布的平面型元胞，其中，

2.根据权利要求1所述的具有异质结的平面型sic功率器件，其特征在于，所述sic基板内包括横贯有源区的第一导电类型载流子储存层；

3.根据权利要求1所述的具有异质结的平面型sic功率器件，其特征在于，所述异质结单元还包括异质结沟槽，所述异质结沟槽位于第一分离栅子单元以及第二分离栅子单元之间，所述导电多晶硅体填充于所述异质结沟槽内；

4.根据权利要求2所述的具有异质结的平面型sic功率器件，其特征在于，所述异质结单元的两侧均设置有第一导电类型源区以及第二导电类型基区；

5.根据权利要求4所述的具有异质结的平面型sic功率器件，其特征在于，所述第一分离栅子单元与第一导电类型载流子储存层，以及对应...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭振峰，王万，李娜，柴晨凯，
申请(专利权)人：江苏索力德普半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：