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本发明公开了一种具有异质结的平面型SiC功率器件及制备方法，涉及半导体器件领域，包括第一导电类型SiC基板以及设置于SiC基板中心区的有源区，所述有源区包括若干并列分布的平面型元胞，对于任一平面型元胞，包括平面栅单元、用于减小饱和电流密度的...
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