一种激光二极管绝缘散热器的制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体激光器技术领域，具体是一种激光二极管绝缘散热器的制备方法。本发明专利技术通过对覆铜陶瓷基板依次进行贴膜、曝光、显影、刻蚀，再在覆铜陶瓷基板的正面贴膜保护，背面化学镀银，结束后除去贴膜，激光打孔，切割形成通孔，得到覆铜陶瓷基板A。取3块铜片依次进行贴膜、曝光、显影、刻蚀，分别得到两层微通道层和一层引导层，再将刻蚀后的表面依次进行化学镀银、电镀银、电火花线切割。最后将覆铜陶瓷基板A、微通道层、引导层进行叠加、真空烧结、线切割、研磨抛光、化学镀镍金、涂覆环氧化聚氨酯涂料，制备得到成品。本发明专利技术制备得到的成品具有良好的散热能力和耐腐蚀性能，因此在半导体激光器技术领域具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器，具体是一种激光二极管绝缘散热器的制备方法。

技术介绍

1、半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生激光的器件，具有光电转换率高，寿命长，体积小等优点，在材料加工、航空航天、医疗美容、光纤通信等领域获得了广泛应用。器件在封装过程中，由于散热衬底与半导体芯片的热膨胀系数不匹配，芯片在焊接过程中产生热应力。这些应力会造成有源区带宽改变，形成缺陷，对激光器的阈值电流、输出功率、激射波长等特性造成影响，降低激光器的寿命。同时对激光器而言，热膨胀系数的差异会导致芯片产生轻微的弯曲变形，直接导致芯片发出的激光不准直，使半导体激光阵列整体发光弯曲。目前微通道热沉结构分成五层，上下两层封闭层，中间为微通道层及引导层，材料使用高导热金属。本专利技术介绍了一种激光二极管绝缘散热器的制备方法，使用覆铜陶瓷基板作散热器上下面，中间陶瓷做绝缘层将激光二极管的电路与冷却水绝缘隔离，同时解决芯片与热沉间的热膨胀系数不匹配问题。此外，半导体激光器在高温、高湿或化学腐蚀环境下很容易产生表面侵蚀，导致工作元件出现故障，从而影响器件的整体性能。因此非常有必要提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激光二极管绝缘散热器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种激光二极管绝缘散热器的制备方法，其特征在于：步骤一中，覆铜陶瓷基板A(11)背面化学镀银的厚度为0.7～0.8μm。

3.根据权利要求1所述的一种激光二极管绝缘散热器的制备方法，其特征在于：步骤一中，通孔的孔径公差为-10～10％，偏移度为-0.02～0.02mm。

4.根据权利要求1所述的一种激光二极管绝缘散热器的制备方法，其特征在于：步骤二中，铜片表面化学镀银的厚度为0.3～0.7μm，铜片表面电镀银的厚度为1～2μm。

5.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种激光二极管绝缘散热器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种激光二极管绝缘散热器的制备方法，其特征在于：步骤一中，覆铜陶瓷基板a(11)背面化学镀银的厚度为0.7～0.8μm。

3.根据权利要求1所述的一种激光二极管绝缘散热器的制备方法，其特征在于：步骤一中，通孔的孔径公差为-10～10％，偏移度为-0.02～0.02mm。

4.根据权利要求1所述的一种激光二极管绝缘散热器的制备方法，其特征在于：步骤二中，铜片表面化学镀银的厚度为0.3～0.7μm，铜片表面电镀银的厚度为1～2μm。

5.根据权利要求1所述的一种激光二极管绝缘散热器的制备方法，其特征在于：步骤三中，真空烧结时，真空度为10-3～10-2pa，温度为800～950℃，保温时间6～12h；线切割参数：走线速度为2～5m/s，线直径为0.08～0.35mm。

6.根据权利要求1所述的一种激光二极管绝缘散热器的制备方法，其特征在于：步骤三中，热沉结构(1)叠放时，将热沉结构(1)置于石墨治具(2)中，上下表面分别放置石墨纸(3)，各层镀银面相互贴合并施加压力，压力为30～80mpa。

7.根据权利要求1所述的一种激光二极管绝缘散热器的制备方法，其特征在于：步骤三中，研磨抛光参数：切割面粗糙度＜2μm，表面平整度<1μm，粗糙度<0....

【专利技术属性】
技术研发人员：季成龙，王斌，张鹏，陈慧龙，陈虎，
申请(专利权)人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：