【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子，尤其涉及一种半导体器件。
技术介绍
1、为了减小总的镀膜厚度，往往是直接在半导体衬底上直接涂覆保护层，但是，本专利技术人在实施本专利技术的过程中发现，由于一步涂层的方式所形成的保护层附着力不佳，保护层在经过一段时间后很容易脱落。
2、因此，亟待提供一种改进的半导体器件以克服以上缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种半导体器件，通过保护层对衬底起到良好的保护作用，并且，保护层不易脱落。
2、本专利技术一实施例提供一种半导体器件，包括衬底、过渡层和保护层；其中，所述衬底包括基体和至少一个凸起结构，所述凸起结构设置在所述基体上；所述过渡层设于所述衬底的具有所述凸起结构的一面之上，所述保护层设于所述过渡层之上；所述过渡层的主要成分与所述保护层的主要成分相同，所述过渡层的表面粗糙度rms为0.6-1.6nm。
3、作为上述方案的改进，所述基体的成分包括氧化铝。
4、作为上述方案的改进，所述凸起结构的成分包括碳化钛。p>
5、作为上本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底、过渡层和保护层；其中，所述衬底包括基体和至少一个凸起结构，所述凸起结构设置在所述基体上；所述过渡层设于所述衬底的具有所述凸起结构的一面之上，所述保护层设于所述过渡层之上；所述过渡层的主要成分与所述保护层的主要成分相同，所述过渡层的表面粗糙度RMS为0.6-1.6nm。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基体的成分包括氧化铝。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凸起结构的成分包括碳化钛。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述过渡层和所述保护层的主要
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底、过渡层和保护层；其中，所述衬底包括基体和至少一个凸起结构，所述凸起结构设置在所述基体上；所述过渡层设于所述衬底的具有所述凸起结构的一面之上，所述保护层设于所述过渡层之上；所述过渡层的主要成分与所述保护层的主要成分相同，所述过渡层的表面粗糙度rms为0.6-1.6nm。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述基体的成分包括氧化铝。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述凸起结构的成分包括碳化钛。
【专利技术属性】
技术研发人员：赵伟，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
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