一种Micro LED的巨量转移方法及其应用技术

本发明专利技术涉及一种Micro LED的巨量转移方法及其应用，所述巨量转移方法包括如下步骤：(1)将含有LED芯片的外延片与表面设置有激光诱导释放层的第一衬底进行键合，得到键合对；(2)激光照射步骤(1)得到的键合对，剥离外延片，使LED芯片转移至所述第一衬底的激光诱导释放层上；(3)将步骤(2)得到的含有LED芯片和激光诱导释放层的第一衬底和设置有临时承接层的第二衬底放置于巨量转移设备中，使所述LED芯片与临时承接层相对设置且不连接；激光照射所述激光诱导释放层，释放对应位置的LED芯片至第二衬底的临时承接层，完成所述巨量转移。所述巨量转移方法步骤简单，具有高精度、高良率、高效率、高普适性等优势。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及micro led芯片转移，尤其涉及一种micro led的巨量转移方法及其应用。

技术介绍

1、微型发光二极管(micro light emitting diode，micro led)是继有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)之后的新一代显示技术，近年来愈发受到行业追捧。相比液晶显示、oled显示，micro led的分辨率与色彩饱和度更好、功耗更低，在vr/ar、手机、平板等领域都具有极高的应用潜力。micro led显示器是由数百万个三色rgb芯片组成的。通常来说，受限于外延生长技术，在大面积外延基板上同时生长高质量的三色rgb芯片极为困难，因此需要将生长在外延基板上数百万甚至数千万颗微米级的三色rgb芯片依次转移到驱动电路基板上，实现rgb排布。然而，由于micro led的特征尺寸小于100μm，传统转移技术在转移效率、转移精度上很难达到要求。

2、micro led巨量转移技术已被证明是能够克服组装micro led芯片极端要求的有效解决方案，其打破传统封装和芯片转移技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Micro LED的巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(1)中所述外延片为含有至少两个LED芯片的外延片；

3.根据权利要求1或2所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(1)中所述激光诱导释放层的设置方法包括：在第一衬底上涂覆激光诱导释放材料，固化，得到所述激光诱导释放层；

4.根据权利要求1-3任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(2)中所述激光的波长为200-500nm；

5.根据权利要求1-4任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，所述临时承接层的...

【技术特征摘要】

1.一种micro led的巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(1)中所述外延片为含有至少两个led芯片的外延片；

3.根据权利要求1或2所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(1)中所述激光诱导释放层的设置方法包括：在第一衬底上涂覆激光诱导释放材料，固化，得到所述激光诱导释放层；

4.根据权利要求1-3任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，步骤(2)中所述激光的波长为200-500nm；

5.根据权利要求1-4任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，所述临时承接层的设置方法包括：在第二衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：李硕，梁迪斯，邓锦泉，黄明起，柳博，方上声，
申请(专利权)人：深圳市化讯半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：