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本发明涉及一种Micro LED的巨量转移方法及其应用，所述巨量转移方法包括如下步骤：(1)将含有LED芯片的外延片与表面设置有激光诱导释放层的第一衬底进行键合，得到键合对；(2)激光照射步骤(1)得到的键合对，剥离外延片，使LED芯片转移...
该专利属于深圳市化讯半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市化讯半导体材料有限公司授权不得商用。

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