【技术实现步骤摘要】
本申请涉及一种检测系统及检测方法，特别是涉及一种晶圆切割道的检测系统及检测方法。
技术介绍
1、晶圆需透过切割(sawing)制程将晶粒(die)切割分离后封装。随着芯片尺寸不断微缩，相同晶圆尺寸内切割的晶粒数量愈来愈多，切割道也愈来愈窄，容易在晶圆切割制程中因各种应力机制导致芯片产生缺陷，例如在芯片表面、背面或是侧面等表面处发生的正崩、背崩及侧崩等缺陷，因此，检测晶圆在切割制程产生的崩裂对于后续封装制程的良率控制至关重要。
2、然而，晶圆内部的金属层以及在晶圆切割过程中用来黏持晶圆的晶圆切割膜(dicing tape)将会在检测时严重干扰及阻绝光源，而难以对特定的内层缺陷进行检测。传统破坏性的检测方式不仅成本高、耗时，更容易影响对于缺陷产生原因的判断。
3、有鉴于上述问题，本领域亟需一种非破坏性的检测方法，以便在半导体切割制程中能够降低对光源的干扰，并精确检测出缺陷位置及形貌，进而改善切割制程并提升良率。
技术实现思路
1、本申请提出一种晶圆切割道的检测系统及检测...
【技术保护点】
1.一种晶圆切割道的检测系统，其特征在于，所述晶圆切割道的检测系统包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆切割道的检测系统，其特征在于，所述图像处理单元依据所述深度图像组，以获得至少一瑕疵部位的立体形貌，或在所述待检测晶圆中于一深度方向上的所述至少一瑕疵部位的位置。
3.根据权利要求2所述的晶圆切割道的检测系统，其特征在于，所述图像捕获设备包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆切割道的检测系统，其特征在于，截取多个所述检测图像时，所述图像捕获设备还针对多个所述深度中的一目标深度，截取涵盖所述目标深度的一深度范围内的多张候选图像；
<...【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割道的检测系统，其特征在于，所述晶圆切割道的检测系统包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆切割道的检测系统，其特征在于，所述图像处理单元依据所述深度图像组，以获得至少一瑕疵部位的立体形貌，或在所述待检测晶圆中于一深度方向上的所述至少一瑕疵部位的位置。
3.根据权利要求2所述的晶圆切割道的检测系统，其特征在于，所述图像捕获设备包括：
4.根据权利要求3所述的晶圆切割道的检测系统，其特征在于，截取多个所述检测图像时，所述图像捕获设备还针对多个所述深度中的一目标深度，截取涵盖所述目标深度的一深度范围内的多张候选图像；
5.根据权利要求3所述的晶圆切割道的检测系统，其特征在于，所述图像捕获设备还包括一第二图像感测单元及一第二光学对焦模块，借以所述图像处理单元利用所述第一图像感测单元及所述第二图像感测单元，于至少一瑕疵部位进行三角测量，以获得所述至少一瑕疵部位的一图像深度信息；
6.根据权利要求1所述的晶圆切割道的检测系统，其特征在于，所述图像捕获设备以一第一分辨率及一第一景深取得多个所述检测图像，且响应于检测到所述待检测晶圆具有瑕疵，所述图像捕获设备经配置以进一步依据至少一瑕疵部位的位置，以一第二分辨率及一第二景深取得多张精确检测图像，借以所述图像处理单元产生所述深度图像组；
7.根据权利要求1所述的晶圆切割道的检测系统，其特征在于，所述待检测晶圆的所述背表面覆有一切割膜，所述红外光源经配置以产生多个检测子光束，且多个所述检测子光束分别沿着不彼此平行的多个光轴行进，以产生散射光。
8.根据权利要求7所述的晶圆切割道的检测系统，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹嘉骏，黄冠勋，李岳龙，黄建文，
申请(专利权)人：由田新技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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