半导体器件及形成方法、半导体结构技术

本发明专利技术的技术方案提供一种半导体器件及其形成方法、半导体结构，其中半导体器件包括：基底；位于基底上的屏蔽层，屏蔽层与基底电连接，屏蔽层包括多个间隔排布的同心导电环，导电环包括沿着第一方向对称分布的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分之间具有隔离开口；位于基底上的接地环，接地环环绕屏蔽层；位于屏蔽层上的接地线，接地线包括沿着第二方向延伸的第一接地线和沿着第一方向延伸的第二接地线，第一接地线的中心与第二接地线的中心连接，第一接地线电连接多个导电环以及电连接同层的接地环，第一方向和第二方向不同，满足射频集成电路的工艺需求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体器件及其形成方法、半导体结构。

技术介绍

1、在集成电路(ic)中，例如在cmos射频集成电路(rfic)中，感应器件是一种重要的电学器件，其性能参数直接影响了集成电路的性能。集成电路中的感应器件大多为平面电感，例如平面螺旋电感。与传统的线绕电感相比，平面电感具有成本低、易于集成、噪声小和功耗低等优点，且平面电感与现有集成电路工艺的兼容性较高。

2、衡量感应器件性能好坏的一个重要指标是品质因数(q)，品质因数越高，表征感应器件的性能越好。其中，影响感应器件品质因数的一个重要因素为高频时的衬底损耗(substrateloss)。因此通常通过减少衬底损耗的方法来提高感应器件的品质因数。

3、其中，一种减少衬底损耗的做法是在感应器件和衬底之间设置图案化接地屏蔽(patternedgroundshielded，pgs)结构。pgs结构能够屏蔽感应器件的电场线和感应磁场线，使得感应器件所产生的大部分电场线和感应磁场线终止于该pgs结构，而不会进入衬底内，从而减少了衬底损耗。</p>

4、但是本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层为多层或者单层，当所述屏蔽层为多层时，相邻两层的所述屏蔽层相互电连接，每一层所述屏蔽层包括多个间隔排布的同心所述导电环。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每一层的所述导电环的所述第一部分之间相互电连接，每一层的所述导电环的所述第二部分之间相互电连接。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述导电环上具有两个所述隔离开口，若干所述隔离开口沿着所述第一方向分布。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二接地线...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层为多层或者单层，当所述屏蔽层为多层时，相邻两层的所述屏蔽层相互电连接，每一层所述屏蔽层包括多个间隔排布的同心所述导电环。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每一层的所述导电环的所述第一部分之间相互电连接，每一层的所述导电环的所述第二部分之间相互电连接。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述导电环上具有两个所述隔离开口，若干所述隔离开口沿着所述第一方向分布。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二接地线在所述基底上的投影位于所述隔离开口在所述基底上的投影内。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部分投影至所述基底上的图形为半八边形，所述第二部分投影至所述基底上的图形为半八边形。

7.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

8.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述屏蔽层为多层或者单层，当所述屏蔽层为多层时，相邻两层的所述屏蔽层相互电连接，每一层所述屏蔽层包括多个间隔排布的同心所述导电环。

9.如权利要求7所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，每一层的所述导电环的所述第一部分之间相互电连接，每一层的所述导电环的所述第二部分之间相互电连接。

10.如权利要求7所述的半导体器件的形...

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓东，王西宁，钱蔚宏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：