一种标准单元、半导体结构和存储器制造技术

本公开实施例提供了一种标准单元、半导体结构和存储器，标准单元包括：多个下层连接结构；多个中间连接结构，中间连接结构沿第一方向延伸，且多个中间连接结构沿第二方向排列；多个上层连接结构，上层连接结构沿第一方向延伸，且多个上层连接结构沿第二方向排列；其中，下层连接结构的所在层、中间连接结构的所在层和上层连接结构的所在层沿第三方向依次排列；部分下层连接结构与对应的上层连接结构直接连接，部分下层连接结构与对应的上层连接结构通过中间连接结构连接，第一方向、第二方向和第三方向两两垂直。这样，通过引入中间连接结构，不仅增加线道数量，而且减小了标准单元的面积。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，尤其涉及一种标准单元、半导体结构和存储器。

技术介绍

1、随着半导体技术的不断发展，存储器逐渐向着小型化发展。目前，标准单元版图模板的面积仍然较大，影响了存储器的进一步发展。

技术实现思路

1、本公开提供了一种标准单元、半导体结构和存储器。

2、第一方面，本公开实施例提供了一种标准单元，所述标准单元包括：

3、多个下层连接结构；

4、多个中间连接结构，所述中间连接结构沿第一方向延伸，且多个所述中间连接结构沿第二方向排列；

5、多个上层连接结构，所述上层连接结构沿第一方向延伸，且多个所述上层连接结构沿第二方向排列；

6、其中，所述下层连接结构的所在层、所述中间连接结构的所在层和所述上层连接结构的所在层沿第三方向依次排列；部分所述下层连接结构与对应的所述上层连接结构直接连接，部分所述下层连接结构与对应的所述上层连接结构通过所述中间连接结构连接，所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两垂直。

7、在一些实施例中，所述标准单本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种标准单元，其特征在于，所述标准单元包括：

2.根据权利要求1所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括：

3.根据权利要求1或2所述的标准单元，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的标准单元，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的标准单元，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的标准单元，其特征在于，多个所述上层连接结构被划分为多个类别：

7.根据权利要求6所述的标准单元，其特征在于，多个所述中间连接结构被划分为多个类别：

8.根据权利要求7所述的标准单元，其特征在于，第3类所述上层连接结构被细...

【技术特征摘要】

1.一种标准单元，其特征在于，所述标准单元包括：

2.根据权利要求1所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括：

3.根据权利要求1或2所述的标准单元，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的标准单元，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的标准单元，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的标准单元，其特征在于，多个所述上层连接结构被划分为多个类别：

7.根据权利要求6所述的标准单元，其特征在于，多个所述中间连接结构被划分为多个类别：

8.根据权利要求7所述的标准单元，其特征在于，第3类所述上层连接结构被细分为多个组别：

9.根据权利要求8所述的标准单元，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李忠华，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：