【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，尤其涉及一种标准单元、半导体结构和存储器。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，存储器逐渐向着小型化发展。目前，标准单元版图模板的面积仍然较大，影响了存储器的进一步发展。
技术实现思路
1、本公开提供了一种标准单元、半导体结构和存储器。
2、第一方面，本公开实施例提供了一种标准单元，所述标准单元包括：
3、多个底层连接结构；
4、多个中间连接结构，且所述中间连接结构沿第二方向延伸；
5、多个第一层连接结构，且所述第一层连接结构沿第一方向延伸；
6、其中，所述标准单元应用于半导体结构，且所述半导体结构包括电容层，所述底层连接结构沿第三方向的最高处不高于述电容层沿第三方向的最低处；所述中间连接结构沿第三方向的最低处高于所述电容层沿第三方向的最低处，且所述中间连接结构沿第三方向的最高处不高于所述电容层沿第三方向的最高处；所述第一层连接结构沿第三方向的最低处高于所述电容层沿第三方向的最高处，所述第一方向、所述第二方向...
【技术保护点】
1.一种标准单元，其特征在于，所述标准单元包括：
2.根据权利要求1所述的标准单元，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括：
4.根据权利要求3所述的标准单元，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的标准单元，其特征在于，所述中间连接结构包括多个类别，其中：
6.根据权利要求4所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括：
7.根据权利要求5所述的标准单元，其特征在于，所述底层连接结构包括多个类别，其中：
8.根据权利要求3所述的标准单元，其特征
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【技术特征摘要】
1.一种标准单元，其特征在于，所述标准单元包括：
2.根据权利要求1所述的标准单元，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括：
4.根据权利要求3所述的标准单元，其特征在于，
5.根据权利要求4所述的标准单元，其特征在于，所述中间连接结构包括多个类别，其中：
6.根据权利要求4所述的标准单元，其特征在于，所述标准单元还包括：
7.根据权利要求5所述的标准单元，其特征在于，所述底层连接结构包括多个类别，其中：
8.根据权利要求3所述的标准单元，其特征在于，
9.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：窦心愿，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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