一种背面钉状电极的SGT MOSFET结构制造技术

本技术提供一种背面钉状电极的SGT MOSFET结构，包括：主体和晶圆主体，所述主体的背面设置有漏极；衬底，所述衬底设置于所述主体的背面，所述衬底的表面设置有衬底钉状凹孔；源极，所述源极设置于所述主体的正面，半导体，所述半导体设置于所述主体的表面。本技术提供的一种背面钉状电极的SGT MOSFET结构，在主体的表面设置带有衬底钉状凹孔的衬底和源极之间配合操作可以在有效降低器件导通电阻的同时，避免因晶圆过薄带来的碎片风险。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件领域，尤其涉及一种背面钉状电极的sgt mosfet结构。

技术介绍

1、对于半导体器件而言，导通电阻是一项至关重要的参数，为降低器件的导通电阻，通常半导体厂商会采用减薄工艺，随着晶圆尺寸的逐渐增加，对于晶圆减薄的要求也在不断提高，随之而来的是生产成本的大幅增加，产品的良品率降低。目前超薄片晶圆减薄工艺主要包括有载片磨削减薄技术和留边磨削技术。

2、留边磨削技术主要是taiko工艺，采用带有黏性的专用膜对晶圆正面进行粘贴保护，随后对晶圆背面进行研削，保留晶圆外围边缘部分，只对圆内进行研削薄型化处理，由于晶圆外围带有未减薄的晶圆环，可有效减少晶片翘曲、提高晶片强度。

3、有载片磨削减薄技术主要是采用正面键合的方法，在晶圆正面通过涂胶、键合的方式保护晶圆正面结构，随后通过进行全面磨削对晶圆进行减薄处理。

4、taiko减薄时需要采用专业的贴膜机、撕膜机、减薄机及环切机器，对产线设备具有较高的要求，而有载片磨削减薄技术也需要有专门的键合、解键合设备及专用的载片，工艺流程较复杂，工艺成本较高。

5本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背面钉状电极的SGT MOSFET结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背面钉状电极的SGT MOSFET结构，其特征在于，所述主体的表面分别设置有控制栅和屏蔽栅。

3.根据权利要求1所述的背面钉状电极的SGT MOSFET结构，其特征在于，所述晶圆主体的背面横纵交错设置有多个正片划片道，多个所述正片划片道之间设置有多个凹孔。

4.根据权利要求3所述的背面钉状电极的SGT MOSFET结构，其特征在于，所述凹孔的深度为50um-70um，直径为200-500um。

5.根据权利要求1所述的背面钉状电极的SGT MOSFE...

【技术特征摘要】

1.一种背面钉状电极的sgt mosfet结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背面钉状电极的sgt mosfet结构，其特征在于，所述主体的表面分别设置有控制栅和屏蔽栅。

3.根据权利要求1所述的背面钉状电极的sgt mosfet结构，其特征在于，所述晶圆主体的背面横纵交错设置有多个正片划片...

【专利技术属性】
技术研发人员：李家贵，刘建军，王逸豪，
申请(专利权)人：陕西电子芯业时代科技有限公司，
类型：新型
国别省市：