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本技术提供一种背面钉状电极的SGT MOSFET结构，包括：主体和晶圆主体，所述主体的背面设置有漏极；衬底，所述衬底设置于所述主体的背面，所述衬底的表面设置有衬底钉状凹孔；源极，所述源极设置于所述主体的正面，半导体，所述半导体设置于所述主体...
该专利属于陕西电子芯业时代科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西电子芯业时代科技有限公司授权不得商用。

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