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本发明的技术方案提供一种半导体器件及其形成方法、半导体结构，其中半导体器件包括：基底；位于基底上的屏蔽层，屏蔽层与基底电连接，屏蔽层包括多个间隔排布的同心导电环，导电环包括沿着第一方向对称分布的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分之间具有...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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