快速修复热点的OPC验证方法技术

本发明专利技术公开了一种快速修复热点的OPC验证方法，首先进行常规OPC验证，验证项目包含pinch check、bridge check；通过上述的验证项目测试，如果没有找到热点，则验证通过；如果找到热点，则执行自动排除热点的步骤；形成新的OPC修复掩膜图形；载入本地OPC掩膜，重新执行OPC验证。本发明专利技术在OPC验证中，采用插值采样加权平均法对EPE测量值进行计算得到更精确的热点修复值，然后自动在掩膜图形对该处热点位置进行修复，得到更贴近理想曝光图形的OPC修复图形。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是指一种光刻工艺中快速修复热点的opc验证方法。

技术介绍

1、光学邻近效应修正(opc：optical proximity correction)，是一种增加光刻工艺分辨率的技术。在光刻的过程中，理想的情况下，硅片成像图形应该跟光掩膜上的布局设计完全一样。不幸的是，在深亚微米半导体制造过程中，当光掩膜图形的关键尺寸小于曝光波长的时候，由于图形的尺寸和光刻的波长的尺寸接近甚至更小时，由于光的干涉、衍射和显影等原因会导致曝光在光刻胶上的图形和掩模板版图上的图形不一致，产生光学临近效应(optical proximity effect，ope)的失真。硅片上的成像就会失真，从而与光掩膜的布局图形不是很吻合，产生了图形失真。所以为了在光刻胶上形成需要的图形，需要对掩模板版图上的图形进行opc修正。

2、有四种基本的失真类型：邻近效应(proximity)、非线性变化(non-linearity)、方角变圆(corner rounding)和线端缩短(line end shortening)。opc是对光掩膜图形的预补本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种快速修复热点的OPC验证方法，其特征在于：

2.如权利要求1所述的快速修复热点的OPC验证方法，其特征在于：所述的热点是光刻工艺中对光刻掩膜版进行OPC修正后的光刻掩膜版版图上出现各种问题的点。

3.如权利要求1所述的快速修复热点的OPC验证方法，其特征在于：所述的自动修复排除热点的步骤，包含：

4.如权利要求3所述的快速修复热点的OPC验证方法，其特征在于：所述的EPE测量，是采用插值采样加权平均法对EPE采样点进行选取及计算；多边形边缘按设定规则切割，在每个碎片中点插入测量点，量测边缘轮廓与目标的差值；

5.如权利要求4所述的快...

【技术特征摘要】

1.一种快速修复热点的opc验证方法，其特征在于：

2.如权利要求1所述的快速修复热点的opc验证方法，其特征在于：所述的热点是光刻工艺中对光刻掩膜版进行opc修正后的光刻掩膜版版图上出现各种问题的点。

3.如权利要求1所述的快速修复热点的opc验证方法，其特征在于：所述的自动修复排除热点的步骤，包含：

4.如权利要求3所述的快速修复热点的opc验证方法，其特征在于：所述的epe测量，是采用插值采样加权平均法对epe采样点进行选取及计算；多边形边缘按设定规则切割，在每个碎片中点插入测量点，量测边缘轮廓与目标的差值；

5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯佳计，金晓亮，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：