芯片的处理方法技术

本发明专利技术公开一种芯片的处理方法，包括：提供一芯片；对所述芯片进行预清洗；在清洗后的芯片的表面上形成第一DLC涂层；对所述第一DLC涂层进行蚀刻；在蚀刻过程中检测所述芯片是否被溅射，并在检测到所述芯片被溅射时，停止蚀刻；在蚀刻后的第一DLC涂层上形成第二DLC涂层，得到镀膜后的芯片。采用本发明专利技术实施例，能够有效提高DLC层的附着力，同时避免大幅度增加芯片的整体厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子，尤其涉及一种芯片的处理方法。

技术介绍

1、随着半导体的体积越来越小，要求其表面的保护膜厚度越来越薄。目前，一般是直接在芯片表面涂覆一层dlc。但是，本专利技术人在实施本专利技术的过程中发现，这种单层涂层的dlc膜在经过一段试验后很容易脱层，因为dlc在芯片上的附着力，特别是在极尖(金属材料)上的附着力很弱，可以是通过在dlc涂层之前，涂覆一层粘着层硅，从而提高dlc层的附着力，然而，由于低于1nm的单层膜是不连续的，用两种不同的材料分别形成粘着层和保护膜，会导致芯片的整体厚度大幅度增加。

2、因此，亟待提供一种改进的芯片的处理方法以克服以上缺陷。

技术实现思路

1、本专利技术实施例提供一种芯片的处理方法，能够有效提高dlc层的附着力，同时避免大幅度增加芯片的整体厚度。

2、本专利技术一实施例提供一种芯片的处理方法，包括：

3、提供一芯片；

4、对所述芯片进行预清洗；

5、在清洗后的芯片的表面上形成第一dlc涂层；

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【技术保护点】

1.一种芯片的处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的芯片的处理方法，其特征在于，所述对所述芯片进行预清洗，具体包括：

3.如权利要求2所述的芯片的处理方法，其特征在于，物理清洗的刻蚀厚度为0.5至1.5纳米。

4.如权利要求1所述的芯片的处理方法，其特征在于，形成第一DLC涂层或第二DLC涂层的步骤，包括：

5.如权利要求1所述的芯片的处理方法，其特征在于，所述在蚀刻过程中检测所述芯片是否被溅射，包括：

6.如权利要求1所述的芯片的处理方法，其特征在于，所述第一DLC涂层的厚度为1至2纳米，蚀刻厚度为0.5至1纳米...

【技术特征摘要】

1.一种芯片的处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的芯片的处理方法，其特征在于，所述对所述芯片进行预清洗，具体包括：

3.如权利要求2所述的芯片的处理方法，其特征在于，物理清洗的刻蚀厚度为0.5至1.5纳米。

4.如权利要求1所述的芯片的处理方法，其特征在于，形成第一dlc涂层或第二dlc涂层的步骤，包括：

5.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵伟，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：