集成电路的镀膜方法技术

本发明专利技术集成电路的镀膜方法，包括：通过图形转移工艺对集成电路进行蚀刻；以及对蚀刻完成的所述集成电路进行镀膜处理以在所述集成电路的线路上形成镀层；其中，所述镀膜处理包括：控制真空腔室内的真空度为1.1×10‑3Pa至2.5×10‑3Pa，所述镀层的厚度为25‑45nm。形成的镀层可保护集成电路的线路，避免线路在高湿高温的环境下发生信号干扰和金属迁移现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子制造领域，尤其涉及一种集成电路的镀膜方法。

技术介绍

1、近年来，随着芯片工业飞速发展，集成电路的金属线路更加密集，间距更加狭小。金属线路如容易发生化学腐蚀及金属迁移的cu或ag，常通过惰性金属(如au)覆盖来达到保护活性金属的效果。但是随着金属线路越来越细，间距越来越小，现有的这些柔性线路板表面处理方法已经很难有效保护下层的活泼金属(如cu)，在一些高湿高温的环境下，金属线路很容易发生磁性信号的干扰和金属迁移现象。

2、因此，亟待提供一种集成电路的镀膜方法以克服以上缺陷。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种集成电路的镀膜方法，在集成电路的线路上形成镀层，以保护线路，避免线路在高湿高温的环境下发生信号干扰和金属迁移现象。

2、为实现上述目的，本专利技术集成电路的镀膜方法，包括：

3、通过图形转移工艺对集成电路进行蚀刻；以及

4、对蚀刻完成的所述集成电路进行镀膜处理以在所述集成电路的线路上形成镀层；

5、其中，所述镀膜处本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路的镀膜方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的集成电路的镀膜方法，其特征在于：所述镀膜为SiO2、TiO2、Al2O3，Si3N4、AlN中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的集成电路的镀膜方法，其特征在于，所述镀膜处理还包括：向所述真空腔室通入氩气，控制离子源功率为2.5-3.0kW，工件负偏压200V-250V。

4.如权利要求3所述的集成电路的镀膜方法，其特征在于，所述镀膜处理还包括：控制溅射靶功率为5.0-5.3kW。

5.如权利要求1所述的集成电路的镀膜方法，其特征在于，所述镀膜处理的沉积时间为10-15...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路的镀膜方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的集成电路的镀膜方法，其特征在于：所述镀膜为sio2、tio2、al2o3，si3n4、aln中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的集成电路的镀膜方法，其特征在于，所述镀膜处理还包括：向所述真空腔室通入氩气，控制离子源功率为2.5-3.0kw，工件负偏压200v-250v。

4.如权利要求3所述的集成电路的镀膜方法，其特征在于，所述镀膜处理还包括：控制溅射靶...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓三军，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：