温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明集成电路的镀膜方法，包括：通过图形转移工艺对集成电路进行蚀刻；以及对蚀刻完成的所述集成电路进行镀膜处理以在所述集成电路的线路上形成镀层；其中，所述镀膜处理包括：控制真空腔室内的真空度为1.1×10‑3Pa至2.5×10‑3Pa，所述镀...该专利属于东莞新科技术研究开发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东莞新科技术研究开发有限公司授权不得商用。
温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明集成电路的镀膜方法，包括：通过图形转移工艺对集成电路进行蚀刻；以及对蚀刻完成的所述集成电路进行镀膜处理以在所述集成电路的线路上形成镀层；其中，所述镀膜处理包括：控制真空腔室内的真空度为1.1×10‑3Pa至2.5×10‑3Pa，所述镀...