激光粘接处理方法技术

技术编号:42104437 阅读:22 留言:0更新日期:2024-07-25 00:29
本发明专利技术的激光粘接处理方法,包括:第一激光加热步骤:将涂有粘接胶的半导体预热至第一温度;第二激光加热步骤:将所述半导体预热至第二温度,所述第二温度大于所述第一温度且在100‑130℃之间;调节粘接位置和角度,使所述半导体对准在基板的预定位置;以及向所述半导体施加压力,使所述半导体粘接在所述基板上。本发明专利技术可以提高粘接精度,避免与其他粘接位置发生干涉,同时粘接效果好,稳定性高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体粘接领域,尤其涉及一种激光粘接处理方法


技术介绍

1、将半导体产品,如芯片粘贴在基板上是半导体行业的常见工艺步骤。随着微半导体行业的发展,对于半导体的粘接精度的要求越来越高。例如,压电陶瓷元件的尺寸小而薄,易碎,在粘接时,芯片时不能对相邻的芯片或压电元件的其他粘接位置造成影响。传统的粘接方法包括点胶或热熔胶膜。采用点胶时,容易出现溢胶现象,容易对相邻的粘接位置造成干涉。采用热熔胶膜时,也存在粘接强度差等性能不稳定等缺点。

2、因此,亟待提供一种优化的激光粘接处理方法以克服以上缺陷。


技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种激光粘接处理方法,以提高粘接精度和粘接效果。

2、为实现上述目的,本专利技术的激光粘接处理方法,包括以下步骤:

3、第一激光加热步骤:将涂有粘接胶的半导体预热至第一温度;

4、第二激光加热步骤:将所述半导体预热至第二温度,所述第二温度大于所述第一温度且在100-130℃之间;

5、调节粘接位置和角度,使所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激光粘接处理方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的激光粘接处理方法,其特征在于,所述第一激光加热步骤中,激光束的频率为40-50kHz,所述激光束的波长为8-10μm。

3.如权利要求2所述的激光粘接处理方法,其特征在于,所述激光束的激光功率密度为0.5W-2W/mm2。

4.如权利要求1所述的激光粘接处理方法,其特征在于,所述第一温度为50-60℃。

5.如权利要求1所述的激光粘接处理方法,其特征在于,所述第二激光加热步骤中,激光束的频率为60-80kHz,所述激光束的波长为12-15μm。</p>

6.如权...

【技术特征摘要】

1.一种激光粘接处理方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.如权利要求1所述的激光粘接处理方法,其特征在于,所述第一激光加热步骤中,激光束的频率为40-50khz,所述激光束的波长为8-10μm。

3.如权利要求2所述的激光粘接处理方法,其特征在于,所述激光束的激光功率密度为0.5w-2w/mm2。

4.如权利要求1所述的激光粘接处理方法,其特征在于,所述第一温度为50-60℃。

5.如权利要求1所述的激光粘接处...

【专利技术属性】
技术研发人员:支向奇
申请(专利权)人:东莞新科技术研究开发有限公司
类型:发明
国别省市:

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