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本发明的激光粘接处理方法，包括：第一激光加热步骤：将涂有粘接胶的半导体预热至第一温度；第二激光加热步骤：将所述半导体预热至第二温度，所述第二温度大于所述第一温度且在100‑130℃之间；调节粘接位置和角度，使所述半导体对准在基板的预定位置；...
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