【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶硅太阳能电池，具体而言，涉及一种基于硼掺杂多晶硅复合膜层的钝化接触结构及其制备方法。
技术介绍
1、由超薄氧化硅(siox)和重掺杂多晶硅(poly-si)薄膜组成的钝化接触结构，也被称为氧化硅层钝化接触(topcon)结构，其可以避免硅衬底和金属电极之间的直接接触复合，因此比传统的钝化发射极和背接触(perc)器件具有更高的效率。此外，topcon电池在生产线上与当前主流的perc电池具有高度兼容性，表现出极高的性能成本比，已经被公认为是新一代产业化高效晶硅电池的技术选择。
2、目前n型topcon结构表现出卓越的性能，这使得n型topcon电池的效率已经突破26％。而大量的研究证明，与n型topcon结构相比，p型topcon的钝化水平相对较低。但p型topcon在高效p型电池的背场、n型电池的正面局部多晶硅选择性接触结构、n型背结电池的背面发射极、全背接触电池的空穴接触区、叠层电池底电池等方面均具有重要应用前景。因此，使p型topcon结构获得优异的钝化质量，对于光伏产业的持续性发展有着十分重要的意义。
3、研本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基于硼掺杂多晶硅复合膜层的钝化接触结构，其特征在于，包括依次层叠设置的隧穿层、第一掺硼多晶硅层、氮硅化物层和第二掺硼多晶硅层，所述第二掺硼多晶硅层的硼掺杂浓度大于所述第一掺硼多晶硅层的硼掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的基于硼掺杂多晶硅复合膜层的钝化接触结构，其特征在于，所述隧穿层的厚度为1～3nm，所述第一掺硼多晶硅层的厚度为3～50nm，所述氮硅化物层的厚度为2～20nm，所述第二掺硼多晶硅层的厚度为10～1000nm。
3.根据权利要求1或2所述的基于硼掺杂多晶硅复合膜层的钝化接触结构，其特征在于，所述氮硅化物层各部位的氮含量相...
【技术特征摘要】
1.一种基于硼掺杂多晶硅复合膜层的钝化接触结构，其特征在于，包括依次层叠设置的隧穿层、第一掺硼多晶硅层、氮硅化物层和第二掺硼多晶硅层，所述第二掺硼多晶硅层的硼掺杂浓度大于所述第一掺硼多晶硅层的硼掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的基于硼掺杂多晶硅复合膜层的钝化接触结构，其特征在于，所述隧穿层的厚度为1～3nm，所述第一掺硼多晶硅层的厚度为3～50nm，所述氮硅化物层的厚度为2～20nm，所述第二掺硼多晶硅层的厚度为10～1000nm。
3.根据权利要求1或2所述的基于硼掺杂多晶硅复合膜层的钝化接触结构，其特征在于，所述氮硅化物层各部位的氮含量相同或不同，氮含量范围为1at％～50at％。
4.根据权利要求3所述的基于硼掺杂多晶硅复合膜层的钝化接触结构，其特征在于，所述氮硅化物层包括至少一层氮化硅薄膜，各层所述氮化硅薄膜的氮含量相同或不同。
5.根据权利要求3所述的基于硼掺杂多晶硅复合膜层的钝化接触结构，其特征在于，所述氮硅化物层从与所述第二掺硼多晶硅层相抵的表面至与所述第一掺硼多晶硅层相抵的...
【专利技术属性】
技术研发人员：叶继春，曾俞衡，杜浩江，张洪宇，欧亚梨，水丽蓁，刘伟，廖明墩，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：
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