成膜装置制造方法及图纸

本技术涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种成膜装置，包括：处理腔室；工艺腔室，设置于所述处理腔室内，所述处理腔室与所述工艺腔室之间设置有连通件，所述处理腔室与所述工艺腔室通过所述连通件连通，所述连通件朝向所述工艺腔室的一端角度可调；载具组件，设置于所述工艺腔室内，用于承载并加热基板。处理腔室内带动靶向粒子运动的惰性气体能够通过连通件进入工艺腔室内，连通件朝向工艺腔室的一端角度能够不断变化，使得惰性气体和靶向粒子能够从不同角度和方向进入工艺腔室内，从而达到靶向粒子在进入工艺腔室后能够充满腔体且进行无规则运动的效果，提高成膜均匀性和成膜速度。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造，特别是涉及一种成膜装置。

技术介绍

1、薄膜沉积工艺广泛应用于led(light-emitting diode，发光二极管)、oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)、集成电路制造行业中，在完成蚀刻(etching)工艺的晶片上涂上一层薄膜，可作为相关产品中的保护层、电极层等。当前薄膜的成膜方法多为蒸镀、溅镀、沉积，各行业根据对薄膜的相关系数要求，选择合适的薄膜成膜方式。但上述成膜方式存在着很多弊端，由于靶材粒子分布不均匀而造成膜质均匀性差，影响后续工艺步骤和产品性能。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种成膜装置，用于解决现有技术中成膜均匀性差的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种成膜装置，包括：

3、处理腔室；

4、工艺腔室，设置于所述处理腔室内，所述处理腔室与所述工艺腔室之间设置有连通件，所述处理腔室与所述工艺腔室通过所述连通件连通，所述连通件朝向所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种成膜装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述连通件包括朝向所述工艺腔室设置的第一阀门，所述第一阀门包括相对设置的第一伸缩部和第二伸缩部，所述第一伸缩部和第二伸缩部能够朝相同方向同步移动，所述第一伸缩部和第二伸缩部之间具有间隙并形成第一开口。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述第一开口沿水平方向或竖直方向移动。

4.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述连通件还包括与所述第一阀门连通的第二阀门，所述第二阀门设置于所述连通件靠近所述处理腔室的一端。

5.根据权利要求2至4中任意...

【技术特征摘要】

1.一种成膜装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，所述连通件包括朝向所述工艺腔室设置的第一阀门，所述第一阀门包括相对设置的第一伸缩部和第二伸缩部，所述第一伸缩部和第二伸缩部能够朝相同方向同步移动，所述第一伸缩部和第二伸缩部之间具有间隙并形成第一开口。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述第一开口沿水平方向或竖直方向移动。

4.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，所述连通件还包括与所述第一阀门连通的第二阀门，所述第二阀门设置于所述连通件靠近所述处理腔室的一端。

5.根据权利要求2至4中任意一项所述的成膜装置，其特征在于，所述工艺腔室的外壁上设置有第二开口，所述连通件设置于所述第二开口内。

6.根据权利要求5所述的成膜装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯伟，
申请(专利权)人：重庆康佳光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：