【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜生长设备领域，尤其涉及一种气相沉积设备。
技术介绍
1、化学气相沉积(cvd，chemical vapor deposition)是一种在基片表面生成膜层的技术，具体包括将含有膜层元素的气体输入反应腔中，通过在基片表面发生化学反应来生成膜层的工艺。近年来，随着led(light-emitting diode)的广泛应用，金属有机化学气相沉积(mocvd，metal-organic chemical vapordeposition)工艺越来越多的被使用。
2、在mocvd工艺中，通常需要将ⅲ族化合物气体和ⅴ族化合物气体输入到mocvd的反应腔内，利用基片托盘将基片加热到一定温度，使反应气体在基片表面发生化学反应生成ⅲ-ⅴ族化合物的膜层。其中为了获得足够的均匀性，需要同时控制托盘的加热温度和反应气体的流场均匀分布，加热温度通常需要在1000℃以上，均匀的流场主要依靠腔室内结构的对称实现。但是，并不是所有的mocvd设备内的部件都能耐受高温，为了提高部件的寿命，有必要控制工艺过程中的热辐射范围。
【技术保护点】
1.一种气相沉积设备，用于处理基片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述隔热组件可以在阻隔状态和传片状态进行切换，由所述传片状态向阻隔状态切换时，所述隔热组件与所述传片通道的竖直截面重合面积增加。
3.如权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述隔热组件包括隔热板和切换机构。
4.如权利要求3所述的气相沉积设备，其特征在于，所述隔热板的数量为多个。
5.如权利要求3所述的气相沉积设备，其特征在于，所述隔热组件包括冷却机构，用于对所述隔热组件进行降温。
6.如权利要求5所...
【技术特征摘要】
1.一种气相沉积设备，用于处理基片，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述隔热组件可以在阻隔状态和传片状态进行切换，由所述传片状态向阻隔状态切换时，所述隔热组件与所述传片通道的竖直截面重合面积增加。
3.如权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述隔热组件包括隔热板和切换机构。
4.如权利要求3所述的气相沉积设备，其特征在于，所述隔热板的数量为多个。
5.如权利要求3所述的气相沉积设备，其特征在于，所述隔热组件包括冷却机构，用于对所述隔热组件进行降温。
6.如权利要求5所述的气相沉积设备，其特征在于，所述隔热板内设置有流体回路，所述冷却机构与所述流体回路连通，用于循环冷却流体。
7.如权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述挡风板通过一具有水平延展的连接杆与升降机构固定连接，所述挡风板移动到高位时盖住所述传片口，移动到低位时露出所述传片口。
8.如权利要求7所述的气相沉积设备，其特征在于，所述隔热组件包括上隔热板和下隔热板，所述上隔热板与所述下隔热板在水平方向上错开设置，所述上隔热板位于所述连接杆上，所述下隔热板设置于所述传片通道的内侧的下表面。
9.如权利要求8所述的气相沉积设备，其特征在于，所述下隔热板的上表面低于所述托盘的上表面；当所述挡风板移动到低位时，所述上隔热板的上表面低于所述托盘的上表面。
10.如权利要求7所述的气相沉积设备，其特征在于，当所述挡风板移动到高位时，所述上隔热板和下隔热板在水平方向上部分重叠。
11.如权利要求7所述的气相沉积设备，其特征在于，所述下隔热板设置有一容纳槽，当所述挡风板移动到低位时，所述连接杆落入所述容纳槽中。
12.如权利要求3所述的气相沉积设备，其特征在于，所述切换机...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄稳，张昭，丁伟，张鹏，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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