【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种坩埚及防污件，尤其是涉及一种防止镀膜环形坩埚中心区域污染的坩埚及防污件。
技术介绍
1、现在高端镀膜机一般配置双蒸发源。双蒸发源设计有两种不同的坩埚底座，一个设计为环形坩埚，一个设计为穴位坩埚。使用过程中石英环直接放置在环形坩埚中，颗粒材料放置在坩埚容器中再放置在穴位坩埚中。
2、镀膜时电子枪发出的高能电子束照射在材料上，动能转换为热能，使材料熔化在以材料表面为平面的半球面上蒸发，除落在产品上的为有效利用外，其它方向的膜料会作为污染物附着在防污板、坩埚等设备配件上。
3、高质量的光学镀膜产品技术规格中有一项外观要求，即在镀膜过程中由于灰尘、不均匀膜料等落在产品上最终形成在光学薄膜内部的与周围结构不一致的缺陷。为了改善外观我们通常会周期更换防污板和清洁附落在坩埚等设备配件上的膜层。
4、其中在清洁环形坩埚上的膜层时，我们通常采用百洁布打擦、刮刀刮擦的作业，此时作业过程会产生大量灰尘，虽然过程中配置吸尘器进行辅助，但是还有部分灰尘飘逸在环境中，存在落到产品表面的现象使镀膜后的产品外观不良增加。所以我们需要对产尘的作业进行优化，以减少环境中的灰尘。
5、现有专利cn218880028u，在坩埚中间设计一与坩埚外形轮廓一致的盖板做防污件，保护生产过程中膜层的污染。此专利达到了保护坩埚中间不被膜层污染的效果，减少了坩埚清洁产尘导致环境污染的问题。但是产生新的问题，因为增加了盖板，由于盖板设计有一定的厚度，在材料融化蒸发的过程中，会遮挡部分蒸发角度，从而影响产品的分光曲线，可能导
技术实现思路
1、本技术的目的就是为了克服上述现有技术存在的缺陷而提供一种防止镀膜环形坩埚中心区域污染的坩埚及防污件。
2、本技术的目的可以通过以下技术方案来实现：
3、一种防止镀膜环形坩埚中心区域污染的坩埚及防污件，包括环形坩埚盘；所述的环形坩埚盘中心设置有梯形凸台，外侧设置一圈石英环放置槽，所述的环形坩埚盘中心区域的梯形凸台整体向下沉降5mm，形成凹槽；所述的梯形凸台上盖有防污盖板；所述的防污盖板为与环形坩埚盘中心区域的凹槽深度一致的盖板。
4、进一步地，所述的防污盖板为铜材料或不锈钢材料制成的盖板。
5、进一步地，所述的石英环放置槽周向环绕梯形凸台设置。
6、进一步地，所述的防污盖板为碟装的盖板。
7、与现有技术相比，本技术具有以下优点：
8、本技术通过改进现有坩埚，将坩埚中心区域沉降，设计一个防污盖板，防污盖板的形状与坩埚中心区域轮廓一致。防污盖板盖在环形坩埚中心区域，镀膜过程中膜料蒸发附着在防污盖板上，对防污盖板进行更换，避免打擦坩埚导致环境污染。且防污盖板的厚度与坩埚中心区域的梯形凸台沉降厚度一致，放置后与原坩埚平面一致，不遮挡材料的蒸发角度，减少分光不良，既保护了坩埚中心区域不受膜料污染，又不遮挡蒸发角度影响分光曲线。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种防止镀膜环形坩埚中心区域污染的坩埚及防污件，包括环形坩埚盘(1)；所述的环形坩埚盘(1)中心设置有梯形凸台(2)，外侧设置一圈石英环放置槽(3)，其特征在于，所述的环形坩埚盘(1)中心区域的梯形凸台(2)整体向下沉降5mm，形成凹槽(4)；所述的梯形凸台(2)上盖有防污盖板(5)；所述的防污盖板(5)为与环形坩埚盘(1)中心区域的凹槽(4)深度一致的盖板。
2.根据权利要求1所述的一种防止镀膜环形坩埚中心区域污染的坩埚及防污件，其特征在于，所述的防污盖板(5)为铜材料或不锈钢材料制成的盖板。
3.根据权利要求1所述的一种防止镀膜环形坩埚中心区域污染的坩埚及防污件，其特征在于，所述的石英环放置槽(3)周向环绕梯形凸台(2)设置。
4.根据权利要求1所述的一种防止镀膜环形坩埚中心区域污染的坩埚及防污件，其特征在于，所述的防污盖板(5)为碟装的盖板。
【技术特征摘要】
1.一种防止镀膜环形坩埚中心区域污染的坩埚及防污件，包括环形坩埚盘(1)；所述的环形坩埚盘(1)中心设置有梯形凸台(2)，外侧设置一圈石英环放置槽(3)，其特征在于，所述的环形坩埚盘(1)中心区域的梯形凸台(2)整体向下沉降5mm，形成凹槽(4)；所述的梯形凸台(2)上盖有防污盖板(5)；所述的防污盖板(5)为与环形坩埚盘(1)中心区域的凹槽(4)深度一致的盖板。
2.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，徐路辉，石文旭，熊祖超，
申请(专利权)人：江西水晶光电有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。